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文檔簡介
1、微流控芯片可以在微尺度空間實(shí)現(xiàn)對流體的不同控制以完成各種物理、化學(xué)等操作,由于其尺寸小、成本低、響應(yīng)快、精度高的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用。作為目前最主要的微流體驅(qū)動(dòng)技術(shù),電滲流廣泛應(yīng)用于微流控系統(tǒng)的液體輸送、混合、反應(yīng)和分離。本文對微通道內(nèi)電滲調(diào)控和非等溫電滲流動(dòng)進(jìn)行了理論分析和數(shù)值模擬,對微流控芯片的研發(fā)和應(yīng)用具有一定的指導(dǎo)意義。主要研究工作和成果如下:
以Poisson-Boltzmann(PB)模型和Poisson-Nernst-
2、Planck(PNP)模型為基礎(chǔ),結(jié)合數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證對平板微通道內(nèi)的電滲流輸運(yùn)特性進(jìn)行分析,揭示了微/納尺度牛頓流體和非牛頓冪律流體電滲流動(dòng)的基本規(guī)律。分析表明,冪律流體電滲流速度隨冪律指數(shù)和動(dòng)電參數(shù)的增大非線性減小,速度流型發(fā)生變化。外加電場和zeta電勢的改變使冪律流體速度大小非線性變化,但并不影響速度流型。
采用具有普適性的PNP模型對兩種典型熱邊界條件下微通道內(nèi)電滲流的流動(dòng)和傳熱進(jìn)行了數(shù)值模擬。實(shí)現(xiàn)了電場、流場、離
3、子濃度場和溫度場的多物理場耦合,同時(shí)考慮了流體物理參數(shù)隨溫度的變化。研究結(jié)果表明,通過對溫度場適當(dāng)?shù)目刂瓶梢詫?dǎo)致多種非塞型的電滲流。恒定的溫度梯度導(dǎo)致剪切流動(dòng),水平變化的熱邊界條件誘導(dǎo)出脈動(dòng)流,交替變化的垂直溫度梯度引起波浪流。微通道內(nèi)離子分布隨著溫度梯度的不同而發(fā)生變化,表現(xiàn)為低壁溫區(qū)域離子濃度高于高壁溫區(qū)域,且離子周期運(yùn)動(dòng)滯后于溫度場變化。
對壁面存在異構(gòu)zeta電勢的平板微通道內(nèi)流體流動(dòng)進(jìn)行了數(shù)值模擬,分析了非牛頓冪律流
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