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1、由于氰化物毒性大,氰化物鍍銅廢液對(duì)環(huán)境污染大,無氰堿性鍍銅工藝成為了電鍍工作者的研究熱點(diǎn)。本文重點(diǎn)研究了在焦磷酸鹽體系無氰堿性鍍銅中絡(luò)合劑HEDP(羥基乙叉二膦酸)及外場(chǎng)(超聲波,磁場(chǎng),脈沖)對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)、微觀形貌、電化學(xué)曲線和成核機(jī)理等方面的影響。本文研究成果主要包括以下四個(gè)方面:
?。?)脈沖參數(shù)對(duì)焦磷酸鹽體系銅電沉積的影響
在無氰電鍍銅過程中使用脈沖電鍍,脈沖電鍍有關(guān)斷時(shí)間存在,被消耗的金屬離子利用這段時(shí)間擴(kuò)散補(bǔ)
2、充到陰極附近,當(dāng)下一個(gè)導(dǎo)通時(shí)間到來時(shí),陰極附近的金屬離子得以恢復(fù),故可以使用較高的電流密度。在電鍍時(shí)間(Ton)是1s,暫停時(shí)間(Toff)分別是0.1s,1s,5s時(shí),增加暫停時(shí)間(Toff)有利于銅鍍層晶粒的細(xì)化和改善微觀結(jié)構(gòu)。隨著暫停時(shí)間(Toff)的增加,瘤狀顆粒尺寸減小,表面覆蓋得相對(duì)致密。在暫停時(shí)間(Toff)是1s,電鍍時(shí)間(Ton)分別是5s,0.5s時(shí),電鍍時(shí)間(Ton)是5s得到的銅鍍層覆蓋較致密,孔洞較少。
3、 ?。?)HEDP對(duì)焦磷酸鹽體系銅電沉積機(jī)理的影響
在焦磷酸鹽體系電鍍銅過程中,隨著HEDP濃度的增加,銅鍍層變的粗糙,銅鍍層的厚度減小。在40 g/L的HEDP時(shí),銅鍍層表面平滑,覆蓋致密,銅鍍層的厚度為7.5μm,電流效率為93.76%。在研究成核機(jī)制時(shí)發(fā)現(xiàn),不添加HEDP時(shí),Cu電沉積初期為三維瞬時(shí)成核。在添加HEDP時(shí),Cu電沉積初期為三維連續(xù)成核。
?。?)超聲波對(duì)焦磷酸鹽體系銅電沉積的影響
在無氰
4、電鍍銅過程中引入超聲波,可以有效地增加電結(jié)晶的成核速度,降低晶粒的長(zhǎng)大速度,使鍍層均勻細(xì)致。在沒有超聲波作用下,鍍層粗糙且有許多孔洞,而在60W和80W的超聲波作用下,鍍層致密,瘤狀顆粒細(xì)小、均勻,沒有明顯的縫隙和裂痕。當(dāng)超聲波功率為100W時(shí),鍍層表面不均勻,瘤狀顆粒粗大,表面非常粗糙,有許多孔洞。在超聲波功率為0W,60W,80W和100W時(shí),鍍液的電流效率分別為91.95%,92.14%,89.25%和96.11%。
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