基片集成陣列天線的賦形研究.pdf

1、隨著無(wú)線通信技術(shù)的快速發(fā)展和廣泛應(yīng)用，對(duì)天線提出了新要求，比如有很寬的波束、可以實(shí)現(xiàn)方向圖副瓣抑制、波束指向控制等，這就需要對(duì)天線進(jìn)行賦形研究?；诨刹▽?dǎo)（Substrate Integrated Waveguide，SIW）的優(yōu)點(diǎn)，基片集成陣列天線具有結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、損耗低、易于與其它平面集成等特點(diǎn)，使其成為近些年的研究熱點(diǎn)之一。通過(guò)改變陣列中天線單元的激勵(lì)幅度及相位分布，可以較容易地實(shí)現(xiàn)所需要的賦形要求。
　　目前，對(duì)

2、基片集成陣列天線的方向圖副瓣抑制研究主要針對(duì)低副瓣，而對(duì)于任意副瓣抑制的研究較少。常見的具有較寬波束寬度的天線單元有偶極子天線、開口波導(dǎo)、波導(dǎo)縫隙天線、普通微帶天線等，但它們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中都受到一定的限制。
　　本文基于SIW傳輸線和單層印刷電路板（Printed Circuit Board，PCB）加工工藝，主要介紹基片集成陣列天線的賦形研究，具體分為四部分展開。
　　首先，介紹E面方向圖副瓣抑制的基片集成陣列天線：K波段1

3、6×32賦形陣列天線，并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究。通過(guò)仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的對(duì)比可知，兩者吻合較好，滿足特定的方向圖要求，表明了該陣列天線具有良好的賦形特性。
　　其次，介紹基片集成陣列天線的E面和H面方向圖副瓣抑制，研究了天線單元的H面方向圖副瓣抑制和K波段16×22陣列天線的E面方向圖副瓣抑制。16×22賦形陣列天線的仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該陣列天線具有良好的方向圖副瓣抑制特性，但兩者有一定的偏差。又從介質(zhì)材料參數(shù)的角度進(jìn)行分析，得到引起實(shí)驗(yàn)和仿