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文檔簡介
1、熱電材料是一種可以將電能和熱能實現(xiàn)相互轉換的功能材料。近年來，銦硒化合物由于其固有的結構特征（包括相、晶體結構和結構缺陷）而備受關注。
In6Se7是銦硒系列的二元半導體化合物，這種半導體具有單斜晶系結構，其空間群為P21/m，晶體中In元素以三種不同的價態(tài)(+1,+2,+3)混合存在。研究發(fā)現(xiàn)：采用Sn替換In6Se7中的In后，材料中存在Sn4+和Sn2+兩種不同價態(tài)的Sn離子，并萌生多種結構點缺陷（例，SnIn3+、Sn
2、In+、SnIn-）。計算得出：Sn4+優(yōu)先占據(jù)在In+點位生成施主缺陷SnIn3+，而Sn2+優(yōu)先占據(jù)在In3+點位生成受主缺陷SnIn-，由于施主缺陷SnIn3+的作用，材料從本征下的p-型半導體轉變成摻雜后的n-型半導體，同時材料的電導率大幅提高。盡管Sn2+中和了部分Sn4+的作用，對材料的輸運性能產(chǎn)生了一定的負面影響，但是摻雜后材料的熱電優(yōu)值（ZT）依然有較大的提升。在833K時，In6-xSnxSe7(x=0.1)的樣品ZT
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