2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩74頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、隨著生活中薄膜晶體管(TFT)應(yīng)用范圍的擴展,同時人們對以TFT為基礎(chǔ)單元的高分辨和大尺寸平板顯示質(zhì)量期望的提高,促進有較高遷移率,較小閾值電壓,較大光學(xué)透過等良好性能的TFT的研制。隨著研究的深入,氧化物半導(dǎo)體TFT以其優(yōu)良的性能和相對簡單的制備工藝,得到科研人員的重視和認可,目前一些性能優(yōu)良的氧化物TFT在實際中得到初步應(yīng)用。對于氧化物 TFT有多種制備工藝,本文主要是利用磁控濺射在硅襯底和玻璃襯底上制備n型IZO-TFT,其中在玻

2、璃襯底上制備二氧化鋯(ZrO2)薄膜作為絕緣層制備出全透明 IZO-TFT。以此 IZO-TFT為基礎(chǔ)器件輔加外圍電路制備出具有較高增益的電阻負載型反相器。同時采用磁控濺射法制備p型CuO-TFT,為進行互補型反相器電路制備做基礎(chǔ)。
  本論文首先敘述了TFT發(fā)展歷史。硅基TFT的發(fā)展比氧化物TFT發(fā)展要早,技術(shù)也較氧化物TFT技術(shù)成熟,目前以硅基TFT應(yīng)用較為廣泛,隨著研究的深入氧化物TFT逐步得到應(yīng)用。同時還敘述了晶體管的分類

3、和各類結(jié)構(gòu)的晶體管的優(yōu)缺點,簡單敘述了不同結(jié)構(gòu)的TFT對其性能的影響。但是不同結(jié)構(gòu)的TFT工作原理都是一樣的,本實驗制備底柵頂電極結(jié)構(gòu)的TFT作為研究對象。為了改善TFT工作性能,我們利用溶膠凝膠法制備高介電系數(shù)的 ZrO2薄膜作為柵電極絕緣層,高介電常數(shù)材料作為絕緣層對于降低TFT飽和電壓減小器件亞閾值擺幅有很大影響。其制備過程是經(jīng)過軀體溶液制備和勻膠后,并在空氣中退火后制備出具有良好絕緣性能薄膜,由于較低退火溫度的薄膜呈現(xiàn)非晶狀態(tài)減

4、少了薄膜晶界漏電流的影響。以此ZrO2薄膜結(jié)合ITO玻璃襯底我們制備出全透明IZO-TFT,該器件具有良好的光學(xué)透過率以及較小的飽和電壓,可以應(yīng)用在一些全透明低功率電路中。我們對器件進行紫外輻照測試,發(fā)現(xiàn)器件在稍高強度紫外光照射下關(guān)態(tài)電流的增加比較明顯。以此透明 TFT制備出在低輸入電壓下電阻負載型反相器。我們同時在硅襯底上制備了 IZO-TFT和 CuO-TFT,以期制備出互補性電路。室溫下制備出的IZO-TFT在30V電壓下有良好的

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論