LaOBiS2中的過(guò)渡金屬摻雜效應(yīng).pdf

1、超導(dǎo)物理研究領(lǐng)域革命性的發(fā)展往往來(lái)自于新型超導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)。尤其最近幾年，最典型的突破就是的高溫銅基和鐵基超導(dǎo)體。2012年，新型層狀超導(dǎo)體Bi4O4S3和LaO1-xFxBiS2的發(fā)現(xiàn)引起了各國(guó)專(zhuān)家的興趣，比較晶體結(jié)構(gòu)可知它們都具有一種類(lèi)似NaCl結(jié)構(gòu)的雙BiS2層，即所謂的超導(dǎo)層。隨后，許多相似的超導(dǎo)材料被合成出來(lái)，而合成的關(guān)鍵方法就是化學(xué)摻雜。本論文中，我們進(jìn)行了多種化學(xué)元素?fù)诫s來(lái)探究REOBiS2基的摻雜效應(yīng)以期發(fā)現(xiàn)新的超導(dǎo)體。

2、采用兩步固相反應(yīng)的實(shí)驗(yàn)制備方法，我們首先進(jìn)行了Mo、Ti、Ir、Nd、Ta五種過(guò)渡金屬元素對(duì)LaOBiS2阻隔層的摻雜探索，發(fā)現(xiàn)只有能穩(wěn)定形成正五化合價(jià)的Ta5+元素成功的誘導(dǎo)了超導(dǎo)電性，印證了該體系超導(dǎo)電性由電子摻雜產(chǎn)生而非空穴摻雜;其次，我們用Pb元素分別嘗試了LaOBiS2和YbOBiS2超導(dǎo)層和阻隔層的摻雜。結(jié)果來(lái)看，母相LaOBiS2兩個(gè)不同位置上的摻雜都沒(méi)有實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)轉(zhuǎn)變，而對(duì)電輸運(yùn)性產(chǎn)生了明顯的影響，可能不同位置的摻雜引入了