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文檔簡(jiǎn)介
1、本文以P型摻雜單晶硅片為原料,采用雙槽電化學(xué)腐蝕法制備了結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的多孔硅,確定了適宜裝填氧化劑的最優(yōu)制備條件;分別通過(guò)真空壓差法、超聲振蕩法、三次滴加法對(duì)其進(jìn)行含能化填充,分析了多孔硅制備條件和氧化劑填充方法對(duì)制得的納米含能材料發(fā)火性能影響,并采用高速攝影對(duì)樣品的燃燒過(guò)程進(jìn)行了對(duì)比分析;以丙烯酸甲酯為原料對(duì)制備的多孔硅樣品進(jìn)行了氫化硅烷化改性,對(duì)比了改性前后樣品的活性保持情況。獲得的研究結(jié)果如下:
(1)在一定腐蝕條件下,時(shí)間
2、對(duì)樣品的影響主要表現(xiàn)在腐蝕深度和多孔硅質(zhì)量方面,電流密度的影響主要表現(xiàn)在孔徑大小和孔隙率方面。在腐蝕時(shí)間30 min、電流密度90 mA·cm-2的條件下制備的樣品具有較好的多孔形貌和穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),其多孔硅層厚度約70μm,孔隙率達(dá)80%。
(2)采用真空壓差法填充氧化劑的綜合效果最優(yōu),超聲振蕩法效果次之,三次滴加法效果最差。此外,真空壓差法適用于超聲振蕩法所不能填充的高孔隙率樣品,適用范圍更廣,裝填效果優(yōu)勢(shì)明顯。當(dāng)樣品電流密度
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