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文檔簡(jiǎn)介
1、本文在DBR光柵結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和制備工藝方面開展了系統(tǒng)地研究工作，采用MOCVD系統(tǒng)對(duì)1064nm半導(dǎo)體激光器外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行生長(zhǎng)，通過濕法腐蝕工藝制備出了3.5μm寬的脊形波導(dǎo)。在DBR光柵制備過程中，采用325nm全息曝光系統(tǒng)對(duì)脊形波導(dǎo)進(jìn)行全息光刻，并利用ICP干法刻蝕，制備出光柵的周期結(jié)構(gòu)。通過實(shí)際測(cè)試和分析，Bragg光柵周期為960nm，刻蝕深度為1.1μm，符合1064nm輸出DBR半導(dǎo)體激光器對(duì)光柵結(jié)構(gòu)的要求。最終研制出總腔長(zhǎng)為1
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