2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、電子材料和器件是當(dāng)代信息技術(shù)的基礎(chǔ),隨著自旋電子學(xué)的發(fā)展以及對(duì)新型器件產(chǎn)品的需求不斷提升,集成電路的發(fā)展呈現(xiàn)出兩個(gè)顯著的趨勢(shì):一方面,集成電路的尺寸越來(lái)越小,繼在十年前進(jìn)入納米尺度之后(<100納米),在近期已達(dá)到10納米以下的技術(shù)水平;另一方面,一些新材料,如石墨烯、碳納米管等已可應(yīng)用于集成電路中,顯示了其在納米器件領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。研究這些低維納米材料的性質(zhì)對(duì)開(kāi)發(fā)納米電子學(xué)器件是至關(guān)重要的。2014年新的二維材料黑磷被制備出來(lái)。相比于

2、石墨烯,黑磷具有直接帶隙,也擁有比二維過(guò)渡金屬硫化合物更高的遷移率,因此引發(fā)了廣泛的研究工作。本文對(duì)鎳/黑磷/鎳隧道結(jié)的自旋電子輸運(yùn)及光電流性質(zhì)進(jìn)行第一性原理計(jì)算研究,為基于黑磷的自旋電子學(xué)器件提供理論參考。
  本研究分為六個(gè)部分:第一章介紹黑磷的研究進(jìn)展及值得進(jìn)一步研究的問(wèn)題。第二章主要介紹本論文研究所采用的基于密度泛函理論結(jié)合非平衡態(tài)格林函數(shù)的量化輸運(yùn)方法。第三章研究了兩種界面的鎳/黑磷/鎳隧道結(jié)在非平衡態(tài)下的自旋極化的電輸

3、運(yùn)性質(zhì)。研究結(jié)果表明:在0~70mV偏壓范圍內(nèi),Ni(100)界面的鎳/黑磷/鎳隧道結(jié)具有穩(wěn)定的隧穿磁阻和高的電流自旋注入率,其中隧穿磁阻約為40%,對(duì)于自旋平行結(jié)構(gòu),自旋注入率約為60%; Ni(100)界面的鎳/黑磷/鎳隧道結(jié)要比 Ni(111)界面的隧道結(jié)具有更好的自旋極化輸運(yùn)特性,這表明隧道結(jié)的界面結(jié)構(gòu)對(duì)體系的隧穿磁阻、自旋注入率有重要影響。第四章研究拉伸及彎曲應(yīng)變下的Ni(100)界面的鎳/黑磷/鎳隧道結(jié)在平衡態(tài)下的自旋極化的

4、電輸運(yùn)性質(zhì)。結(jié)果表明:在拉伸應(yīng)變范圍內(nèi)即0~15%,隧穿磁阻會(huì)明顯提高,當(dāng)應(yīng)變?yōu)?0%時(shí),達(dá)到最大值107%。對(duì)于自旋平行結(jié)構(gòu),自旋注入率從8%提升到了43%;隨著彎曲度增加,隧穿磁阻單調(diào)增加,從7%提升到50%。對(duì)于自旋平行結(jié)構(gòu),自旋注入率隨彎曲度單調(diào)增加,保持在70%左右。第五章,研究了在線偏振光及橢圓偏振光照射下,Ni(111)界面的鎳/黑磷/鎳隧道結(jié)在偏壓下的自旋輸運(yùn)性質(zhì)。結(jié)果表明:在0.03~0.1V偏壓區(qū)間,偏振角度在30°

5、、150°左右,有較大的隧穿磁阻30~50%;對(duì)于自旋反平行結(jié)構(gòu),當(dāng)偏壓在0.03~0.1V區(qū)間,偏振角度在45°至135°之間,具有高于60%的自旋注入率。偏壓為0.08V時(shí),自旋注入率達(dá)到99%。對(duì)于自旋平行結(jié)構(gòu),自旋注入率比反平行結(jié)構(gòu)的要小,當(dāng)偏壓在0.03~0.1V區(qū)間,偏振角度為30°及150°左右時(shí),具有相對(duì)較高的自旋注入率;對(duì)于反平行結(jié)構(gòu),自旋流基本不隨偏壓變化,電荷流隨偏壓變化逐漸增大。偏振角度為90°,偏壓為0V時(shí),電

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