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1、高級(jí)氧化技術(shù)在降解水中難生化處理有機(jī)物方面的應(yīng)用引起了研究者的廣泛關(guān)注,環(huán)境友好的光催化氧化技術(shù)無(wú)疑在此類(lèi)氧化技術(shù)中具有誘人的應(yīng)用前景。TiO2作為光催化劑以來(lái)因其化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、無(wú)毒無(wú)害、活性較高且廉價(jià)易得,被認(rèn)為是最理想的半導(dǎo)體光催化劑。然而,TiO2本身存在著些許不利因素,如帶隙能較寬可見(jiàn)光響應(yīng)不足,體相載流子復(fù)合幾率高光催化活性受限,使用后難回收、易二次污染等。凡此種種的固有弊端業(yè)已成為T(mén)iO2光催化技術(shù)走向?qū)嵱玫钠款i。因此,對(duì)T
2、iO2光催化劑進(jìn)行表面改性修飾,制備高效、廣譜且易于回收利用的TiO2基復(fù)合光催化劑尤為必要。本文以異質(zhì)結(jié)理論為指導(dǎo),采用纖維預(yù)處理結(jié)合水熱法分別制備了ZnO/TiO2、BiVO4/TiO2和InVO4/TiO2纖維。對(duì)這三種復(fù)合光催化劑的制備、水處理應(yīng)用和催化機(jī)理進(jìn)行了深入研究,主要內(nèi)容和研究結(jié)果如下:
第一部分,以鈦酸四丁酯(TBOT)作為鈦源,乙酰乙酸乙酯(EAcAc)為螯合劑,四氫呋喃(THF)為溶劑,采用改進(jìn)的溶膠-
3、凝膠法和水蒸氣熱處理法制備介孔TiO2纖維。之后以硝酸鋅(Zn(NO3)2·6H2O)為鋅源,六次甲基四胺(C6H12N4)為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑,采用水熱法制備形貌和尺寸皆可控的ZnO/TiO2纖維。通改變ZnO種子溶液的濃度,制備出不同ZnO形貌和不同復(fù)合量的ZnO/TiO2纖維。相比于原位再生法,該制備方法更有利于光催化活性組分的暴露。利用多種表征手段,證明了ZnO/TiO2異質(zhì)結(jié)構(gòu)的形成,且其晶型完整。相比于純態(tài)TiO2,1∶1ZnO/T
4、iO2纖維的Ti2p紅移了0.2 eV,說(shuō)明ZnO的加入使其周?chē)幕瘜W(xué)環(huán)境發(fā)生改變,同時(shí)存在少量氧空位和Ti3+。ZnO的引入使得復(fù)合催化劑吸收帶邊發(fā)生了紅移,窄化了催化劑的禁帶寬度,復(fù)合纖維中受激發(fā)的光生載流子的復(fù)合受到抑制。對(duì)X-3B水溶液的光催化降解表明,所制備的1∶1ZnO/TiO2纖維是一種高效復(fù)合光催化劑。
第二部分,針對(duì)TiO2可見(jiàn)光響應(yīng)不足,光催化活性不高等共性問(wèn)題,本文選用低溫水熱法通過(guò)在表面改性的Si摻Ti
5、O2纖維表面組裝窄帶隙半導(dǎo)體BiVO4制備BiVO4/表面改性Si摻TiO2。在自制Si摻TiO2纖維的基礎(chǔ)上,首次通過(guò)HF蒸汽輔助水熱及堿處理法,實(shí)現(xiàn)纖維表面粗糙化,改善其宏觀表面的同時(shí)優(yōu)化其介孔結(jié)構(gòu),為第二相的生長(zhǎng)提供可操作的基礎(chǔ)材料。第二相BiVO4呈針狀或花狀生長(zhǎng)于表面改性Si摻TiO2表面,形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)。研究表明,通過(guò)調(diào)節(jié)BiVO4前驅(qū)液的濃度,長(zhǎng)度小于1μm,直徑在80-100nm之間的針狀BiVO4可有序聚集形成花狀。通過(guò)
6、XRD、SEM、PL和XPS等表征手段可證明半導(dǎo)體BiVO4的引入以及異質(zhì)結(jié)構(gòu)的形成。光催化結(jié)果顯示,與單純BiVO4、 Si摻TiO2纖維或是機(jī)械混合BiVO4+Si摻TiO2纖維相比,復(fù)合量為20%的BiVO4/表面改性Si摻TiO2可見(jiàn)光光催化效果最優(yōu);分析可知,在可見(jiàn)光照射下,BiVO4可作為敏化劑拓寬復(fù)合催化劑的可見(jiàn)光響應(yīng),使受激發(fā)的電子流入Si摻TiO2的導(dǎo)帶,從而抑制載流子的復(fù)合;而在紫外光照射下,Si摻TiO2表面空穴也
7、會(huì)轉(zhuǎn)入BiVO4的導(dǎo)帶,從而形成內(nèi)建電場(chǎng),降低載流子的復(fù)合幾率,提高光催化活性。通過(guò)低溫水熱法制備不同形貌、尺寸的BiVO4/表面改性Si摻TiO2纖維具有載流子復(fù)合幾率低、晶形完整、形貌均一、穩(wěn)定性好、光催化活性高等優(yōu)勢(shì)。
第三部分,多金屬半導(dǎo)體InVO4帶隙能約為2.0 eV,穩(wěn)定性好,可有效吸收可見(jiàn)光。其導(dǎo)帶是由V原子的3d軌道和In原子5s軌道構(gòu)成,這些軌道與V原子的3d軌道相互影響,從而在實(shí)際情況下使得InVO4晶體
8、的導(dǎo)帶電子遷移能力有所提高;但純態(tài)InVO4易受光腐蝕,不易回收。本章將InVO4與TiO2復(fù)合有利于電子內(nèi)部傳輸,抑制載流子復(fù)合,制備高效廣譜復(fù)合型光催化劑。XRD分析結(jié)果顯示,復(fù)合纖維中RTF(表面改性Si摻TiO2纖維)和InVO4的晶型分別為單一銳鈦礦和正交相。復(fù)合纖維中InVO4特征峰位置向高角度方向偏移,可能是由于InVO4和RTF的復(fù)合使InVO4晶格受擠壓晶面間距變小,也可能由于V5+的離子半徑與Ti4+相差不大,V5+
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