放電等離子體中XeI準分子形成過程.pdf

1、該工作在較低氣壓條件下(0.5-10Torr),對Xe/I<,2>混合氣體直流輝光放電和高頻介質(zhì)阻擋放電等離子體中XeI準分子形成過程進行較為詳細的研究.通過對放電等離子體中熒光發(fā)射譜和電子溫度的分析得到了上述兩種放電等離子體中XeI準分子的形成機理以及氣壓變化對準分子形成的影響.實驗表明:在兩種放電等離子體中主要形成B激發(fā)態(tài)的XeI準分子,然后XeI(B)向基態(tài)躍遷,即B<,1/2>→X<,1.2>躍遷,同時發(fā)射紫外熒光.此躍遷屬于B

2、ound-Free躍遷,譜線強度具有明顯的波動結構,最大峰值出現(xiàn)在253nm附近.XeI準分子在兩種放電等離子體中形成機理不同,直流輝光放電等離子體中主要形成通道為:激發(fā)態(tài)的Xe原子與基態(tài)的I<,2>相互作用形成激發(fā)態(tài)的XeI準分子,隨氣壓變化效率最大值出現(xiàn)在2.5Torr左右;介質(zhì)阻擋放電等離子體中主要形成通道為:離子態(tài)的Xe<'+>與離子態(tài)的I<,2><'->發(fā)生離子復合形成激發(fā)態(tài)的XeI準分子和I<'*>,隨氣壓變化效率最大值出現(xiàn)