磁性異質(zhì)結(jié)中的磁電阻效應(yīng)和電致阻變效應(yīng)研究.pdf_第1頁
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1、分類號：O484密級：UDC：530學(xué)校代碼：11065碩士學(xué)位論文磁性異質(zhì)結(jié)中的磁電阻效應(yīng)和磁性異質(zhì)結(jié)中的磁電阻效應(yīng)和電致阻變效應(yīng)研究電致阻變效應(yīng)研究高小洋高小洋指導(dǎo)教師石星軍副教授、李山東教授學(xué)科專業(yè)名稱凝聚態(tài)物理學(xué)論文答辯日期2016年5月31日AbstractInfmationcommunicationtechnologyisthesymbolofinfmationagewhichperatestoallaspectsoflif

2、e.Inthisdayagedatastagenotonlybecomesincreasinglyimptantbutalsotakesahugemarketshareiscloselyrelatedtoourdailylife.Transistbasedtraditionalprocesshasencounteredadevelopmentbottleneckduetoitsdecreasingfeaturesize.Peopleha

3、vepaidmanyattentionstotheresearchofnewgenerationofmemybecauseofitssimplestructurelongtimedataretention.FallthosememyTheunitcellofMRAMRRAMwithasimpleMIM(metalinsulatmetal)“swich”structurehavelotsofadvantagesfexamplehighst

4、agedensityfastreadingwritingspeedscalabilityfromnongestagemechanismsubmicronsizedlayerstructurepropertiesrepeatabilityCMOScompatibility.Asaresultithasbecomeacurrenthotspot.Inthispapermagictunneljunctions(MTJs)onsiliconsu

5、bstratesRSunitwerefabricatedusinginsitushadowmasks.WeuseXRDXPSAFMcurrentvoltagesourcemeterinstrumenttoanalyzethefilmstructuralcomponentssurfacemphologytransmissionproperties.Themainideaisasfollows:(1)FullyepitaxialFeCoMg

6、OFemagictunneljunctionsonsiliconsubstrateswerefabricatedusinginsitushadowmasksinanelectronbeamdepositionsystem.Aninversetunnelingmagesistance(TMR)of39%wasobservedat77KafterannealingwhichwasnotobtainedinMTJsgrowninbetterv

7、acuumwiththesamedevicestructure.ThisinverseTMRisattributedtotheoxidationoftheFeCoMgOinterfacewhichprovidesanegativespinpolarization.Thenimprovingthevacuumbyaddingaliquidnitrogencooledshroudabout51010trroomtemperaturemage

8、sistancewas50%graduallyincreasedto92％withdecreasingtemperatureto77K.AfterannealingwefoundnmalpositiveTMRincreasedbothatRTat77K.(2)UsingPulselaserdepositionsystemdepositsnSiSiO2CoFe2O4InresistanceswitchingunitsWestudiedth

9、eprocessofitsgrowthtemperatureoxygenpartialpressurewhetherkeepthepressureafterdepositingthethicknessoftheinsulatinglayerthenwetakethemostofoptimalgrowthparameters:1.6Paoxygenpartialpressure700℃filmthicknessof8nmweobtaint

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