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1、近幾十年來(lái),作為一門(mén)新興學(xué)科,由光子學(xué)與電子學(xué)相結(jié)合而產(chǎn)生的光電子學(xué)科有著巨大的發(fā)展。特別是超短激光脈沖技術(shù)與超快響應(yīng)光電半導(dǎo)體材料技術(shù)的進(jìn)步,使得大功率瞬態(tài)電磁脈沖發(fā)生系統(tǒng)及其開(kāi)關(guān)技術(shù)獲得空前的發(fā)展。產(chǎn)生超寬帶電磁脈沖的關(guān)鍵是高壓開(kāi)關(guān)技術(shù)。半導(dǎo)體光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)是利用超快脈沖激光器與光電導(dǎo)體相結(jié)合形成的一類(lèi)新型器件,與傳統(tǒng)的氣體或液體開(kāi)關(guān)相比,光導(dǎo)固體開(kāi)關(guān)(photoconductive semiconductor switches,簡(jiǎn)稱(chēng)P
2、CSS),具有觸發(fā)無(wú)抖動(dòng)、寄生電抗小、上升時(shí)間快、關(guān)斷時(shí)間短、重復(fù)頻率高等優(yōu)良特性。在Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體(如GaAs等)中發(fā)現(xiàn):除了可以按易于理解的每吸收一個(gè)確定能量的光子產(chǎn)生一個(gè)電子空穴對(duì)的線性模式工作以外,還存在一種高增益的非線性工作模式,這種模式可使光導(dǎo)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通的光能比常規(guī)模式降低3-5個(gè)數(shù)量級(jí),從而為光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的小型化,實(shí)用化,集成化提供了現(xiàn)實(shí)的可能性,因而倍受人們的關(guān)注。因此它將在超寬帶脈沖產(chǎn)生領(lǐng)域有著極其廣闊的應(yīng)用前景。
3、超寬帶源和天線在瞬態(tài)雷達(dá)和通信系統(tǒng)中具有廣泛的應(yīng)用前景。目前,超寬帶電磁脈沖的產(chǎn)生是一個(gè)極具挑戰(zhàn)性的工作,用光導(dǎo)開(kāi)關(guān)可以產(chǎn)生100ps上升沿,電壓幅度超過(guò)10kV,脈沖寬度可從130ps到幾個(gè)ns的脈沖。瞬態(tài)電磁脈沖的研究是當(dāng)前電磁學(xué)的前沿課題之一,其應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛,如超寬頻帶雷達(dá)、超寬保密通信和高能微波等。本文對(duì)瞬態(tài)陣列電磁脈沖的高效傳輸特性進(jìn)行了詳盡分析,并給出詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。 本文在理論方面主要研究了光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的線性物理機(jī)
4、制,通過(guò)微觀統(tǒng)計(jì)計(jì)算了光導(dǎo)開(kāi)關(guān)材料的宏觀電參數(shù),即通過(guò)計(jì)算GaAs內(nèi)部的各種散射機(jī)制,如雜質(zhì)電離散射,形變勢(shì)散射,壓電散射等等,得出該材料在不同載流子濃度下的遷移率和電導(dǎo)率,為建立光導(dǎo)開(kāi)關(guān)在各種工作模式下的瞬態(tài)響應(yīng)模型,模擬光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的輸出電脈沖特性曲線打下基礎(chǔ)。 在實(shí)驗(yàn)方面,本文主要研究了微帶型線性光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的電壓轉(zhuǎn)換效率、光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的飽和光能、以及無(wú)光激勵(lì)的情況下,光導(dǎo)開(kāi)關(guān)暗態(tài)電阻與偏置電壓的關(guān)系,非線性光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的閾值條件和光導(dǎo)開(kāi)
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