層狀化合物TXTe3的合成及其物理特性.pdf

1、層狀硫族化合物具有獨特的原子構(gòu)成和晶體結(jié)構(gòu)，其中存在較強的自旋耦合相互作用，因此表現(xiàn)出許多新穎的物理特性。CrSiTe3是具有間接帶隙的鐵磁性半導(dǎo)體。我們前期的理論計算結(jié)果表明AlXTe3（X=Si，Ge）都是直接半導(dǎo)體，在300–600 K的中溫區(qū)表現(xiàn)出很大的塞貝克系數(shù)（約500μV/K）。因此，本文主要研究TXTe3（T=Cr，Al；X=Si，Ge）化合物的制備與結(jié)構(gòu)、性能表征，主要成果如下：
　?。?）通過固相反應(yīng)法，以Si

2、、Ge、Te單質(zhì)為原料，制備了CrSiTe3、CrGeTe3、AlSiTe3、AlGeTe3為目標合成產(chǎn)物的四種樣品。通過XRD衍射分析、EDS能譜分析結(jié)合掃描電鏡等表征手段，對其晶體結(jié)構(gòu)和磁性能等進行了研究。得到了CrSiTe3和CrGeTe3為主相的材料。層狀化合物AlSiTe3和AlGeTe3很難通過固相反應(yīng)獲得單相的材料。
　?。?）在制備AlSiTe3的過程中，發(fā)現(xiàn)了二元層狀化合物Si2Te3材料?？紤]到典型熱電材料 B