ZnO基紫外探測(cè)器的制備及其結(jié)構(gòu)的優(yōu)化.pdf_第1頁(yè)
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1、ZnO薄膜是一種直接寬帶隙的半導(dǎo)體材料(室溫下禁帶寬度約為3.37 eV)，具有環(huán)保、分布廣泛、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。通過在薄膜中摻入Mg元素，MgZnO薄膜的禁帶寬度可在3.3 eV-7.8 eV范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。ZnO基薄膜材料的相關(guān)研究及其器件性能的優(yōu)化受到了人們的廣泛關(guān)注。本論文主要闡述ZnO基薄膜生長(zhǎng)，ZnO基紫外光電探測(cè)器的制備，并從提升器件性能的角度出發(fā)，生長(zhǎng)高質(zhì)量的ZnO基薄膜和優(yōu)化紫外探測(cè)器結(jié)構(gòu)。主要研究工作如下：
　　

2、(1)利用射頻磁控濺射設(shè)備在石英襯底(SiO2)上制備了高質(zhì)量的ZnO基薄膜，研究了薄膜的結(jié)晶性和光學(xué)性能，在此基礎(chǔ)上制備了金屬-半導(dǎo)體-金屬(MSM)結(jié)構(gòu)的 ZnO基紫外探測(cè)器，對(duì)器件的性能進(jìn)行了測(cè)量和研究。
　　(2)利用管式爐對(duì)MSM結(jié)構(gòu)的Mg0.2Zn0.8O紫外探測(cè)器進(jìn)行退火，通過X射線衍射、紫外/可見吸收和透射光譜、響應(yīng)度光譜和I-V曲線等測(cè)量手段對(duì)樣品進(jìn)行了性能表征。結(jié)果分析表明700℃可顯著提高M(jìn)g0.2Zn0.8

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