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文檔簡介
1、單晶硅太陽能電池相比于其他光伏電池由于其較高的光電轉(zhuǎn)換效率仍占據(jù)著大部分光伏市場份額。但是高昂的成本限制單晶硅太陽電池的大規(guī)模應(yīng)用。隨著生產(chǎn)工藝技術(shù)的發(fā)展,電池硅片將越來越薄。硅片厚度越低,表面復(fù)合對(duì)光生過剩載流子的壽命影響越大。因此研究單晶硅電池的體復(fù)合與表面復(fù)合行為,對(duì)提高電池的性能具有重要意義。準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)(QSSPC)因其不破壞樣品形貌,不污染樣品,成為廣泛使用的表征樣品少子有效壽命。
首先,本文基于過剩載流子的產(chǎn)
2、生與復(fù)合理論,分析了在不同注入水平下單晶硅體壽命的變化特性,并根據(jù)單晶硅中非平衡少數(shù)載流子的一維連續(xù)性方程與少子復(fù)合理論建立數(shù)學(xué)模型,在準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)測試模式下通過數(shù)值法解連續(xù)性方程,最終把表面復(fù)合速率和體壽命分離開。通過計(jì)算不同電阻率的P型單晶硅發(fā)現(xiàn),在高注入情況下,比起恒定常數(shù)的體壽命,依賴于非平衡載流子濃度變化的體壽命嚴(yán)重影響載流子的分布。
另外,研究不同濾光片對(duì)不同鈍化膜的N型單晶硅的有效壽命的影響,通過對(duì)比分析出前后表
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