用電學方法研究鉺氧共摻入硅中引入的缺陷態(tài).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、利用分子束外延系統(tǒng)(MBE)生長高濃度的摻鉺硅樣品,用電學方法對樣品的缺陷態(tài)進行研究,結(jié)果表明鉺氧共同摻入硅中引入施主缺陷.如果在p型硅中進行層狀高濃度的鉺氧摻雜以形成薄層反型層,樣品表現(xiàn)出反常的電學特性:肖特基結(jié)構(gòu)二極管電流電壓特性的改變,電容隨電壓非單調(diào)性的變化,以及深能級瞬態(tài)譜(DLTS)測試中少子信號的出現(xiàn),俘獲系數(shù)的變化等.這些都是由樣品中鉺引入缺陷造成的.模擬計算了肖特基結(jié)構(gòu)中存在高濃度薄層反型層情況下的能帶圖,電場分布圖以

2、及C-V曲線.計算結(jié)果表明反型層摻雜濃度很高的情況下費米能級釘扎在缺陷深能級上,深能級上電子占有率很高.隨著偏壓變化,深能級上電子占有率變化導致電子發(fā)射俘獲,深能級位置可以通過DLTS譜進行測試,DLTS信號極性與常規(guī)DLTS信號相反,并且可以通過一次掃描同時得到俘獲和發(fā)射過程信號.通過實驗結(jié)果和模擬計算證明,在特定的條件下用DLTS方法是能夠測試肖特基結(jié)構(gòu)中的少子能級的.由DLTS譜和導納譜結(jié)果求得鉺氧在p型硅中引入施主深能級位于導帶

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