適用于SiC薄膜生長的RTCVD裝置及工藝探索.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文主要探索適用于碳化硅薄膜生長的RTCVD裝置，并對生長工藝進(jìn)行了初步探索。主要工作包括：1．針對本課題要求的RTCVD設(shè)備的反應(yīng)腔大、工作溫度高和升溫速度快的特點(diǎn)，首先對設(shè)備升溫條件進(jìn)行能量計(jì)算；接著從反射腔材料選擇和形狀設(shè)計(jì)等方面出發(fā)，利用計(jì)算機(jī)模擬最終設(shè)計(jì)出為每根燈管分別反射輻射能的圓柱面形反射罩。通過制作反射罩進(jìn)行加熱試驗(yàn)，最終用14根2000w的碘鎢燈在1分鐘內(nèi)將樣品加熱到1200℃。2．針對以前氣路堵塞的問題設(shè)計(jì)并制作了氣

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