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  • 電力電子技術(shù)考前模擬題(有答案)5

    電力電子技術(shù)考前模擬題(有答案) 電力電子技術(shù)考前模擬題(有答案)(5頁)

    電力電子技術(shù)考前模擬題電力電子技術(shù)考前模擬題一、選擇題一、選擇題1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差A(yù)度。A、180,B、60,C、360,D、1202、Α為C度時(shí),三相半波可控整流電路,電阻性負(fù)載輸出的電壓波形,處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A,0度,...

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  • 整流二極管821265

    整流二極管82126 整流二極管82126(5頁)

    整流二極管型號大全整流二極管是一種能夠?qū)⒔涣麟娔苻D(zhuǎn)化成為直流電能的半導(dǎo)體器件,整流二極管具有明顯的單向?qū)щ娦裕且环N大面積的功率器件,結(jié)電容大,工作頻率較低,一般在幾十千赫茲,反向電壓從25V到3000V硅整流二極管的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能良...

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  • 電力電子技術(shù)考試重點(diǎn)試題及答案33

    電力電子技術(shù)考試重點(diǎn)試題及答案 電力電子技術(shù)考試重點(diǎn)試題及答案(33頁)

    電力電子技術(shù)試題集合電力電子技術(shù)試題集合1、請?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率、觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要...

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  • 華南理工電力電子技術(shù)試題及答案8

    華南理工電力電子技術(shù)試題及答案 華南理工電力電子技術(shù)試題及答案(8頁)

    電力電子技術(shù)試題電力電子技術(shù)試題1、請?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率、觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高和觸發(fā)...

    下載價(jià)格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-13 / 12人氣

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