第六章,半導體材料,,,半導體材料是構成許多有源元件的基體材料，在光通訊設備、信息的儲存、處理、加工及顯示方面都有重要應用，如半導體激光器、二極管。半導體集成電路、半導體存儲器和光電二極管等等。它是能源、信息、航空、航天、電子技術必不可少的一種功能材...
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1,11什么是半導體材料,定義一依據材料導電能力的高低來區(qū)分導體、半導體、絕緣體，把電阻率介于金屬和絕緣體之間的材料定義為半導體。導體電阻率小于10－4??CM；絕緣體電阻率大于1010??CM；半導體電阻率介于于10－4??CM到1010??CM,2,半導體材料定義二,在絕對...
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一半導體材料的簡介及種類自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體、和絕緣體三大類。半導體的電導率在103～109歐厘米范圍。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而增大，這與金屬導體恰半導體材料好相反凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導體材料...
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單晶半導體材料制備技術,布里奇曼BRIDGMAN法GAAS直拉生長CZOCHRALSKI法GAAS單晶硅區(qū)熔生長單晶硅,ASCIENTISTFROMKCYNIAPOLAND,JANCZOCHRALSKI,WASMANYYEARSAHEADOFHISTIMEIN1916HEDEVELOPEDAMETHODFORGROWINGSINGLECRYSTALS,WHICHWASBASICALLYFORGOTTENUNTILAFTERWOR...
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半導體物理與材料、器件概論,第三章PN結二極管,31介紹,電流在PN結二極管中如何流動窄基二極管,既能夠說明有關電流的行為,又在理論上表述簡單,而且又是形成后面雙極晶體管的重要部分IV特性PIN二極管整流器高注入效應HIGHLEVELINJECTIONEFFECT為簡單起見只討論理想的PI...
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半導體材料（SEMICONDUCTMATERIAL）導電能力介于導體與絕緣體之間的物質稱為半導體。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料，其電阻率在10（U3）10（U9）歐姆厘米范圍內。半導體材料的電學性質對光、熱、電、磁等外界因素的變化十...
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1833年，英國巴拉迪最先發(fā)現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發(fā)現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發(fā)現。不久，1839年法國的貝克萊爾發(fā)現半導體和電解質接觸形成的結...
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SEMICONDUCTOR,MODERNTHEORY,1、原子的能級和晶體的能帶,制造半導體器件所用的材料大多是單晶體。單晶體是由靠得很緊密的原子周期性重復排列而成，相鄰原子間距只有幾個埃的量級。1埃?1010米M,晶體的結合形式,一般的晶體結合，可以概括為離子性結合，共價結合，金屬...
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作者CHADRSNYDER,MEMBERFREDERICKIMOPSIK國籍AMERICA出處IEEETRANSACTIONSONINSTRUMENTATIONANDMEASUREMENTAPRECISIONCAPACITANCECELLFORMEASUREMENTOFTHINFILMOUTOFPLANEEXPANSION–PARTIIICONDUCTINGANDSEMICONDUCTINGMATERIALSABSTRACTTHISPAPERDESCRIBESTHECONST...
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半導體材料的探析與應用半導體材料的探析與應用當今，以半導體材料為芯片的各種產品普遍進入人們的生活，如電視機，電子計算機，電子表，半導體收音機等都已經成為我們日常所不可缺少的家用電器。半導體材料為什么在今天擁有如此巨大的作用，這需要我們從了解半導體...
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徐桂英材料學院無機非金屬材料系,第7章半導體材料的應用,半導體材料的應用總的說來可分為兩大類，一類是制作半導體器件；一類是作光學窗口、透鏡等。71半導體器件的分類半導體器件可分為兩大類，一類稱為分立器件（DISCRETEPART），另一類為集成電路（INTEGRATEDCIRC...
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半導體材料高效放電切割技術單位南京航空航天大學地址南京市御道街29號郵編210016聯系人汪煒電話02584895718電子信箱WANGWEINUAA成果簡介半導體材料高效放電切割是一種低成本高效的特種加工技術。該技術的創(chuàng)新研究得到江蘇省高技術研究計劃重大項目的資助。它采用高...
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近年來低維有機半導體材料的研究被人們廣泛的關注特別是在發(fā)現了聚對苯乙炔PPV的電致發(fā)光現象以后。低維有機半導體材料中一些新的物理性質使人們不論在理論上還是在試驗上都面臨新的挑戰(zhàn)。隨著現代科學技術的發(fā)展使得制造出在有機半導體材料光電子器件已經成為可能由...
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1半導體及基本半導體物理SEMICONDUCTITSPHYSICALPRINCIPLESCRESPONDENCEWITHTHETEXTBOOKSECTION25、26、273基本原子模型E1E2E3E0能量軌道電子能階束縛電子自由電子束縛能自由電子束縛電子原子核電子軌道外加電場FEFEFEN1N2N3N1最內層
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寬禁帶半導體材料與工藝寬禁帶半導體材料與工藝11寬禁帶半導體的概念和發(fā)展寬禁帶半導體的概念和發(fā)展寬禁帶半導體（WBS）是自第一代元素半導體材料（SI）和第二代化合物半導體材料（GAAS、GAP、INP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。這類材料主要包括SIC（碳化硅...
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先進半導體材料及其制備工藝,匯報人第一課題小組,目錄,第一部分前言,,半導體簡介,半導體電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質。半導體室溫時電阻率約在105～107歐米之間，溫度升高時電阻率指數則減小。,半導體材料,半導體材料很多，按化學成分可分...
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氮化鎵半導體材料發(fā)展現狀氮化鎵基半導體材料是繼硅和砷化鎵基材料后的新一代半導體材料，被稱為第三代半導體材料，它具有寬的帶隙，優(yōu)異的物理性能和化學性能，在光電子領域具有廣泛的應用前景和研究價值。用GAN基高效率藍綠光LED制作的超大屏全色顯示，可用于室內...
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