版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、本論文著重于層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鐵電材料SrBi4Ti4O15(SBTi)的B位和AB位共同摻雜改性研究。對它們陶瓷樣品的微結(jié)構(gòu)、鐵電、介電和壓電性能的研究,有助于了解摻雜對層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鐵電材料的性能,特別是剩余極化影響的機理,并指導(dǎo)設(shè)計有實用性能的用于非易失性鐵電隨機存儲器的新型鐵電材料。 采用固相燒結(jié)工藝,制備了不同W摻雜、W和Nd共同摻雜、Mn和Nd共同摻雜量的SBTi鐵電陶瓷樣品。用X射線衍射對它們的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,用掃描電
2、子顯微鏡觀察了它們的表面形貌,發(fā)現(xiàn)這些樣品都是隨機取向,且摻雜基本未改變材料原來的晶體結(jié)構(gòu)。 鐵電性能測試結(jié)果顯示,適當(dāng)?shù)膿诫s量都能有效改善材料的鐵電性能。摻雜后,剩余極化(2Pr)都呈現(xiàn)出先增大,后減小的規(guī)律。高價陽離子W6+摻雜SrBi4Ti4O15中,當(dāng)摻雜量為0.03,2Pr達(dá)到極大值:25.4/μC.cm-2,比未摻雜時增大60%以上。同時,保持了SBTi良好的熱穩(wěn)定性能。這與摻雜導(dǎo)致的氧空位濃度的降低和晶粒尺寸增大有
3、關(guān)。一方面,高價的陽離子摻雜,降低了氧空位濃度,使可反轉(zhuǎn)的疇的數(shù)目增多,增大了樣品的剩余極化值:另一方面,摻雜使樣品晶粒尺寸增大,從而使樣品的鐵電性能有了明顯的提高。同時樣品的壓電性能也有了很大程度的提高,SBTW-0.03的d33為15pC/N,與SBTi相比提高了大約50%。與同族的Mo摻雜相比較,兩者在改善材料的性能方面有著驚人的相似性。 w6+和Nd3+共同摻雜和Nd3+和Mn4+共同摻雜都未影響SBTi的居里點,保持了
4、SBTi良好的熱穩(wěn)定性能。鐵電性能測試結(jié)果顯示,適當(dāng)?shù)膿诫s量都能有效改善材料的鐵電性能。摻雜后,剩余極化(2Pr)都呈現(xiàn)出先增大,后減小的規(guī)律。在W6+和Nd3+共同摻雜中,保持w6+的摻雜量為0.03時,適量的Nd3+摻雜極大地提高了SBTi的2Pr,當(dāng)Nd3+的摻雜量為0.005時,2Pr達(dá)到極大值:35.3μC.cm-2,比未摻雜時增大121%以上。在Nd3+和Mn4+共同摻雜中,在保持Nd3+的摻雜量為0.18的前提下,適量的M
5、n4+摻雜在很程度上提高了SBTi的2Pr,當(dāng)Mn4+的摻雜量為0.005時,2Pr達(dá)到極大值:38.9μC.cm-2,與SBTi相比提高了122%。其提高的幅度遠(yuǎn)大于單獨的高價陽離子W6+和Mo6+摻雜。這說明AB位共同摻雜可以顯著地提高材料的剩余極化值,同時基本上保持了材料的良好的熱穩(wěn)定性。這與氧空位濃度的降低有關(guān),同時也與與材料中氧空位動性的減弱有關(guān)。因為,摻雜離子的離子半徑與原離子半徑不同,摻雜后將會導(dǎo)致氧八面體周圍的電荷有序性
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- SrBi-,4-Ti-,4-O-,15- A位摻雜及其共生結(jié)構(gòu)B位摻雜研究.pdf
- SrBi-,4-Ti-,4-O-,15-B位摻雜改性研究.pdf
- SrBi-,4-Ti-,4-O-,15-及其共生結(jié)構(gòu)摻雜改性研究.pdf
- 摻雜SrBi-,4-Ti-,4-O-,15-薄膜鐵電性能研究.pdf
- SrBi-,4-Ti-,4-O-,15-與CaBi-,4-Ti-,4-O-,15-鐵電薄膜制備與性能研究.pdf
- 流延法制備織構(gòu)化SrBi-,4-Ti-,4-O-,15-陶瓷.pdf
- 鉍層狀SrBi-,4-Ti-,4-O-,15-壓電陶瓷的制備與性能研究.pdf
- 摻雜對Bi-,4-Ti-,3-O-,12--SrBi-,4-Ti-,4-O-,15-共生結(jié)構(gòu)鐵電、介電和壓電性能影響的研究.pdf
- La、V摻雜對BaBi-,4-Ti-,4-O-,15-陶瓷壓電性能的影響.pdf
- (CaSr)Bi-,4-Ti-,4-O-,15-鐵電薄膜的制備與特性.pdf
- srbi,4ti,4o,15及k,0.5na,0.5nbo,3摻雜改性研究
- CaBi-,4-Ti-,4-O-,15-基鐵電薄膜的制備及其性能的研究.pdf
- Sr-,2-Bi-,4-Ti-,5-O-,18-鐵電體A位摻雜結(jié)構(gòu)和性能研究.pdf
- B位摻雜Bi-,4-Ti-,3-O-,12-陶瓷的性能及Bi-,4-Ti-,3-O-,12-陶瓷內(nèi)氧空位的研究.pdf
- B位摻雜對ACu3Ti4O12結(jié)構(gòu)和性能的影響.pdf
- CaCu3Ti4O12高介電材料的制備及其B位摻雜改性的研究.pdf
- Sr-,2-Bi-,4-Ti-,5-O-,18-層狀鈣鈦礦鐵電體A位摻雜研究.pdf
- Bi5FeTi3O15鐵薄膜B位摻雜的改性研究.pdf
- solgel法制備pb(zr0.53ti0.47)o3和ab位共摻雜bi4ti3o12鐵電薄膜生能研究
- CaCu3Ti4O12材料的摻雜改性研究.pdf
評論
0/150
提交評論