2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、自旋電子學(xué)是現(xiàn)代凝聚態(tài)物理學(xué)極具研究潛力的領(lǐng)域之一。與傳統(tǒng)的電子學(xué)不同,自旋電子學(xué)將電子的自旋特性和電荷特性相結(jié)合,其核心內(nèi)容是研究自旋極化電子的注入、輸運(yùn)、探測(cè)及自旋控制,其目的是將器件的電特性、光特性和磁特性等組合在一起,實(shí)現(xiàn)新型的自旋電子器件。自旋電子學(xué)器件包括鐵磁金屬或磁性半導(dǎo)體與絕緣體、超導(dǎo)體、導(dǎo)體、半導(dǎo)體等構(gòu)型的復(fù)合,也包括近幾年提出的有機(jī)功能固體或納米小分子器件。目前,一些原型器件已被設(shè)計(jì)出來,如 Datta和Das設(shè)計(jì)了

2、第一個(gè)自旋晶體管等。器件的實(shí)際應(yīng)用需要解決如何有效地將自旋極化電流注入半導(dǎo)體的問題,這要求理論與實(shí)驗(yàn)研究中準(zhǔn)確描述自旋注入、演變以及界面效應(yīng)等。
  相對(duì)于普通固體材料,柔軟的有機(jī)半導(dǎo)體(OSCs:Organic semiconductors)可以和磁性層形成良好的接觸,能有效減少自旋在界面的散射。由于有機(jī)材料弱的自旋-軌道耦合和超精細(xì)相互作用,載流子的自旋馳豫時(shí)間比較長,因而有機(jī)材料是實(shí)現(xiàn)自旋極化輸運(yùn)的理想候選材料。不同于傳統(tǒng)的

3、無機(jī)半導(dǎo)體中的載流子是電子,有機(jī)半導(dǎo)體中的載流子是極化子、雙極化子和孤子等準(zhǔn)粒子,它們具有更復(fù)雜的電荷自旋關(guān)系,使有機(jī)自旋器件具有更豐富的特性。從小分子到高分子,人們對(duì)有機(jī)材料的電磁光等特性的認(rèn)識(shí)越來越深入,無論從量子理論還是從經(jīng)典理論出發(fā),都得到了與實(shí)驗(yàn)具有可比性的理論結(jié)果。特別地,近幾年來將有機(jī)半導(dǎo)體與自旋電子學(xué)結(jié)合,人們得到了一些令人振奮的新現(xiàn)象和新效應(yīng),行成了一個(gè)新的學(xué)科分支——有機(jī)自旋電子學(xué)。
  有機(jī)自旋電子學(xué)是研究有

4、機(jī)功能材料及其相關(guān)器件中的自旋產(chǎn)生、消滅、轉(zhuǎn)移與存儲(chǔ)等物理現(xiàn)象和物理機(jī)理的學(xué)科。它包含與化學(xué)交叉的有機(jī)材料和與物理學(xué)科交叉的自旋電子學(xué)兩個(gè)領(lǐng)域。將二者結(jié)合,探討有機(jī)材料在自旋電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用顯然具有重要的基礎(chǔ)研究價(jià)值和潛在的應(yīng)用背景,這也是當(dāng)前國際上許多課題組密切關(guān)注的一個(gè)研究方向。
  2002年 Dediu課題組首次報(bào)道了有機(jī)材料中的自旋注入和輸運(yùn),他們采用半金屬 CMR材料La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)作極化電子給

5、體,有機(jī)層采用sexithenyl(T6),實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)了負(fù)磁電阻,表明有機(jī)層內(nèi)存在自旋極化注入,兩電極之間的輸運(yùn)電流是自旋極化的。近幾年,已經(jīng)有很多實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了有機(jī)材料中的自旋注入和輸運(yùn)現(xiàn)象。如2004年,Xiong等人制備了LSMO/Alq3/Co自旋閥,測(cè)得低溫下可以實(shí)現(xiàn)40%的磁電阻效應(yīng);2008年,Dediu研究組報(bào)道了LSMO/Alq3/Al2O3/Co結(jié)構(gòu)自旋閥中的自旋極化和輸運(yùn),他們?cè)谟袡C(jī)半導(dǎo)體和金屬電極之間加了一層絕緣的隧穿

6、勢(shì)壘層,使自旋注入到有機(jī)半導(dǎo)體中的效率大大提高。2009年,Zhang等人研究了8-hydroxyquinoline-aluminum(Alq3)/Al2O3/Co結(jié)構(gòu)中的自旋極化注入和輸運(yùn),研究了緩沖層 Al2O3的存在對(duì)自旋極化注入和輸運(yùn)的影響
  對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體中自旋注入和輸運(yùn)的理論研究包括以Xie等人為代表的量子理論和以Smith和Yu等人為代表經(jīng)典理論兩個(gè)方面。前者能夠描述自旋極化輸運(yùn)的微觀機(jī)理,而后者可以得到一些可以與實(shí)

7、驗(yàn)比較的物理量。這些現(xiàn)有的理論都沒有考慮實(shí)際實(shí)驗(yàn)研究中的關(guān)鍵問題——鐵磁層和有機(jī)半導(dǎo)體接觸時(shí)形成的肖特基勢(shì)壘。近幾年,人們已經(jīng)對(duì)有機(jī)材料中的自旋極化注入和輸運(yùn)做了大量的理論工作。但是一些具體的問題人們還不是很清楚,例如,有機(jī)半導(dǎo)體中極化子和雙極化子之間的共存和轉(zhuǎn)化對(duì)自旋極化注入和輸運(yùn)的影響,鐵磁/有機(jī)半導(dǎo)體界面電阻對(duì)自旋注入和輸運(yùn)的影響,肖特基接觸對(duì)鐵磁/有機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的自旋極化性質(zhì)的影響等等。本論文基于經(jīng)典的漂移-擴(kuò)散理論對(duì)上述問題展

8、開相應(yīng)研究,研究內(nèi)容和結(jié)果如下:
  1、極化子和雙極化子對(duì)自旋極化注入性質(zhì)的影響
  由于有機(jī)半導(dǎo)體具有強(qiáng)的電子-晶格相互作用,因此注入的電子將導(dǎo)致晶格發(fā)生畸變,最后形成一些電荷自陷態(tài),如極化子和雙極化子等。極化子具有1/2自旋,雙極化子不攜帶自旋。有機(jī)半導(dǎo)體中的極化子和雙極化子并不是完全無關(guān)的,在外界條件,如溫度、壓力或者外場(chǎng)等作用下,兩個(gè)自旋極化子可以湮滅成一個(gè)不帶自旋的雙極化子,一個(gè)雙極化子也可以解離成兩個(gè)極化子。人

9、們?cè)诓豢紤]極化子和雙極化子之間的轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)上,已經(jīng)對(duì)它們?cè)谧孕斶\(yùn)中的作用有了初步的了解。但是正如上面所述,極化子和雙極化子之間是存在轉(zhuǎn)化的,這種轉(zhuǎn)化對(duì)自旋極化注入和輸運(yùn)的影響會(huì)是怎樣呢?本文我們假設(shè)有機(jī)半導(dǎo)體中極化子的比率是按指數(shù)形式衰減到有機(jī)半導(dǎo)體的內(nèi)部,研究了鐵磁/有機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中自旋的注入和輸運(yùn)。通過計(jì)算發(fā)現(xiàn),匹配的鐵磁層和有機(jī)半導(dǎo)體層電導(dǎo)率或大的有機(jī)半導(dǎo)體電導(dǎo)率有利于自旋注入,極化子比率衰減速率對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體電流自旋極化率具有非

10、常重要的影響。
  2、鐵磁/有機(jī)半導(dǎo)體界面電阻對(duì)自旋極化性質(zhì)的影響
  考慮了自旋相關(guān)界面電阻對(duì)系統(tǒng)自旋極化注入的影響。通過計(jì)算發(fā)現(xiàn),當(dāng)界面電阻滿足一定的關(guān)系時(shí)能夠得到一個(gè)比較高的電流自旋極化率,我們可以通過調(diào)節(jié)自旋相關(guān)界面電阻來提高自旋注入的效率。界面電阻可以通過隧穿勢(shì)壘獲得。有機(jī)半導(dǎo)體能夠在層結(jié)構(gòu)上自組織生長規(guī)則的單層膜,并且可以被用來制作規(guī)則的隧穿勢(shì)壘而且勢(shì)壘是自旋相關(guān)的。由于有機(jī)半導(dǎo)體的特殊性質(zhì),人們可以很容易地調(diào)

11、節(jié)界面勢(shì)壘,所以自旋注入到有機(jī)半導(dǎo)體中是值得期待的。本章為在有機(jī)半導(dǎo)體中產(chǎn)生一個(gè)比較高的電流自旋極化率提供一個(gè)有效的方法。
  3、肖特基勢(shì)壘對(duì)鐵磁/有機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)自旋極化性質(zhì)的影響
  Albrecht、Smith和Ruden研究了肖特基接觸對(duì)鐵磁/無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)自旋極化性質(zhì)的影響。鐵磁層和重?fù)诫s的半導(dǎo)體之間形成肖特基勢(shì)壘的同時(shí)也形成了適當(dāng)?shù)乃泶﹦?shì)壘,并已經(jīng)證實(shí)了它能夠有效的提高自旋注入的效率。肖特基勢(shì)壘的存在對(duì)鐵磁/有機(jī)

12、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)自旋極化性質(zhì)的影響是怎樣的呢?我們建立了一個(gè)簡單的模型研究了肖特基接觸對(duì)鐵磁/有機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)自旋極化性質(zhì)的影響,討論了電流自旋極化率隨界面處肖特基勢(shì)壘高度、有機(jī)半導(dǎo)體層中特殊載流子及其遷移率、界面附近摻雜濃度的變化關(guān)系。通過計(jì)算發(fā)現(xiàn)尋找在勢(shì)壘區(qū)中載流子遷移率比較大的有機(jī)半導(dǎo)體材料對(duì)實(shí)現(xiàn)有效的自旋注入是必要的。同時(shí)我們還發(fā)現(xiàn),由于鐵磁/有機(jī)半導(dǎo)體接觸而形成的肖特基勢(shì)壘不利于自旋注入,因此要想實(shí)現(xiàn)有效的自旋注入,界面附近必須采用重

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