版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、隨著現(xiàn)代科技的發(fā)展,電器、電子產(chǎn)品在各行各業(yè)以及人們的日常生活中得到了廣泛的應(yīng)用。在電器、電子產(chǎn)品和電力系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中,壓敏電阻作為一種過(guò)電壓保護(hù)器,能夠吸收過(guò)電壓引起的脈沖電壓,從而保證了設(shè)備的正常工作。本課題主要從物相組成、微觀結(jié)構(gòu)、晶粒增長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)、電學(xué)性能等角度,研究了燒結(jié)溫度、摻雜離子對(duì)ZnO–Pr6O11系和ZnO–Bi2O3系壓敏陶瓷性能的影響,通過(guò)對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析,獲得了ZnO–Pr6O11系和ZnO–Bi2O3系中壓敏電阻
2、性能最佳的配方,并分析其在電力、光伏領(lǐng)域的應(yīng)用前景。
(1)研究燒結(jié)溫度對(duì)ZnO–Pr6O11系壓敏電阻陶瓷性能的影響
以96.0mol%ZnO,0.5mol%Pr6O11,0.5mol%Cr2O3,0.5mol%Co2O3,0.5mol%Y2O3,1.0mol%V2O5,1.0mol%Mn3O4為配方,研究了燒結(jié)溫度對(duì)ZnO–Pr6O11系壓敏電阻陶瓷微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,隨著燒結(jié)溫度的升高,ZnO–
3、Pr6O11系壓敏電阻的平均晶粒尺寸顯著增加,燒結(jié)密度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、阻抗逐漸減小,晶界勢(shì)壘高度、非線性系數(shù)總體呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì),而漏電流呈現(xiàn)先減小后增大的趨勢(shì)。當(dāng)燒結(jié)溫度為1100℃時(shí),非線性系數(shù)達(dá)到最大值46.3,漏電流達(dá)到最小值2.94μA/cm2。
?。?)研究Mn3O4摻雜對(duì)ZnO–Pr6O11系壓敏電阻性能的影響
以(97.0–x)mol%ZnO,0.5mol%Pr6O11,0.5mol%Cr2O3,0.
4、5mol%Co2O3,0.5mol%Y2O3,1.0mol%V2O5,x mol%Mn3O4(其中x=0.25,0.50,0.75,1.00,1.25,1.50)為配方,研究了Mn3O4摻雜量對(duì)ZnO–Pr6O11系壓敏電阻微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,隨著Mn3O4摻雜量的增加,電阻的主晶相均為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的ZnO,但是ZnO特征峰的相對(duì)強(qiáng)度略有減小,且其位置向高角度偏移,表面氣孔逐漸減少,平均晶粒尺寸呈現(xiàn)先減小后增大的趨勢(shì),
5、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、晶界勢(shì)壘高度、非線性系數(shù)、漏電流、阻抗均呈現(xiàn)先增大再減小的趨勢(shì);當(dāng)Mn3O4的摻雜量為1.00mol%時(shí),壓敏電阻中的尖晶石相最多,平均晶粒尺寸達(dá)到最小值1.44μm,擊穿場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到最大值1128.6V/mm,非線性系數(shù)為46.3,僅與最大值48.5相差2.2。晶粒增長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)公式計(jì)算得到動(dòng)力學(xué)增長(zhǎng)系數(shù)為3.9,晶粒增長(zhǎng)過(guò)程中的表面激活能為281.6kJ/mol,晶界遷移率較低,晶粒長(zhǎng)大速度較慢。
?。?)研究V2O5摻雜
6、對(duì)ZnO–Pr6O11系壓敏電阻性能的影響
以(98.5–x)mol%ZnO,0.5mol%Pr6O11,1.0mol%Y2O3,x mol%V2O5(其中:x=0.5,1.0,1.5,2.0)為配方,研究了V2O5摻雜對(duì)ZnO–Pr6O11系壓敏電阻微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,隨著V2O5的摻雜量增加,類(lèi)尖晶石相PrVO4的特征峰強(qiáng)度逐漸增大,同時(shí)Pr9O16、Pr5O9特征峰強(qiáng)度逐漸減弱,平均晶粒尺寸、晶界勢(shì)壘高度
7、、漏電流呈現(xiàn)先減小后增大的趨勢(shì),擊穿場(chǎng)強(qiáng)、非線性系數(shù)、阻抗均呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì)。V2O5摻雜的ZnO–Pr6O11系壓敏電阻的配方簡(jiǎn)單,性能優(yōu)越,當(dāng)V2O5摻雜量為1mol%時(shí),Pr9O16發(fā)生相變?yōu)镻r5O9,晶粒尺寸均勻,且達(dá)到最小值1.17μm,阻抗達(dá)到最大,非線性系數(shù)為39.8,漏電流為1.18μA/cm2,擊穿場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到最高值1099V/mm。晶粒增長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)公式計(jì)算得到動(dòng)力學(xué)增長(zhǎng)系數(shù)為4.1,晶粒增長(zhǎng)過(guò)程中的表面激活能為29
8、2.8kJ/mol。
?。?)研究Nb2O5摻雜對(duì)ZnO–Bi2O3系壓敏電阻的影響
以(97.5–x)mol%ZnO,0.5mol%Bi2O3,1.0mol%Y2O3,1.0mol%V2O5,x mol%Nb2O5(其中x=0.5,1.0,1.5,2.0,2.5,3.0)為配方,研究了Nb2O5摻雜對(duì)ZnO–Bi2O3系壓敏電阻微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,壓敏電阻的主晶相均是ZnO,晶界相主要是Bi3NbO7
9、、Y3NbO7、BiYO3以及Nb2O5,隨著Nb2O5摻雜量的增加,Bi3NbO7的特征峰相對(duì)強(qiáng)度逐漸減弱,而Y3NbO7的特征峰相對(duì)強(qiáng)度逐漸增強(qiáng);平均晶粒尺寸、晶界勢(shì)壘高度、漏電流均呈現(xiàn)先減小后增大的趨勢(shì),但是擊穿場(chǎng)強(qiáng)、非線性系數(shù)、阻抗呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì),擊穿場(chǎng)強(qiáng)最大值為472.8V/mm。當(dāng)Nb2O5摻雜量為1.5mol%時(shí),漏電流達(dá)到最小值2.27μA/cm2,非線性系數(shù)最大值32.4,擊穿場(chǎng)強(qiáng)為460.1V/mm,僅與最大
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 高吸收抗脈沖ZnO-Bi2O3-Pr6O11系壓敏電阻性能的研究及應(yīng)用.pdf
- Bi2O3-ZnO-B2O3系低熔點(diǎn)玻璃封接性能的研究.pdf
- ZnO-Bi2O3基壓敏電阻低溫?zé)Y(jié)及摻雜改性研究.pdf
- Bi2O3-B2O3-ZnO系封接玻璃的制備及性能研究.pdf
- 分別摻加Ag2O、B2O3以及B2O3是否預(yù)燒對(duì)ZnO系壓敏電阻性能的影響.pdf
- Bi-,2-O-,3--ZnO-Nb-,2-O-,5-(BZN)系陶瓷介電性能的研究.pdf
- 外文翻譯(英文)摻雜tio2的zno-bi2o3壓敏電阻器的性能及發(fā)展
- 外文翻譯(英文)摻雜TiO2的ZnO-Bi2O3壓敏電阻器的性能及發(fā)展.pdf
- 外文翻譯(中文)摻雜tio2的zno-bi2o3壓敏電阻器的性能及發(fā)展
- 外文翻譯(中文)摻雜TiO2的ZnO-Bi2O3壓敏電阻器的性能及發(fā)展.pdf
- 外文翻譯(中文)摻雜TiO2的ZnO-Bi2O3壓敏電阻器的性能及發(fā)展.pdf
- 外文翻譯(英文)摻雜TiO2的ZnO-Bi2O3壓敏電阻器的性能及發(fā)展.pdf
- 外文翻譯(中文)摻雜TiO2的ZnO-Bi2O3壓敏電阻器的性能及發(fā)展.doc
- 外文翻譯(中文)摻雜TiO2的ZnO-Bi2O3壓敏電阻器的性能及發(fā)展.doc
- 材料專(zhuān)業(yè)外文翻譯--摻雜tio2的zno-bi2o3壓敏電阻器的性能及發(fā)展
- 材料專(zhuān)業(yè)外文翻譯--摻雜tio2的zno-bi2o3壓敏電阻器的性能及發(fā)展
- ZnO-Bi-,2-O-,3--TiO-,2--NiO-SnO-,2-系低壓ZnO壓敏陶瓷的研究.pdf
- ZnO—Fe-,2-O-,3-系薄膜的制備及其性能研究.pdf
- Bi2O3-B2O3-ZnO系低熔點(diǎn)無(wú)鉛封接玻璃結(jié)構(gòu)與熔體性質(zhì)研究.pdf
- Bi2O3材料的復(fù)合及其性能的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論