電力電子技術(shù)王兆安第五版課后習(xí)題試題及答案解析（完整）

1、目 錄第 1 章 電力電子器件 ··································

2、····································

3、3;··1 第 2 章 整流電路································&#

4、183;····································

5、·············4 第 3 章 直流斬波電路 ·····················&

6、#183;····································

7、;·············20 第 4 章 交流電力控制電路和交交變頻電路···················

8、83;··············26 第 5 章 逆變電路····················

9、····································

10、3;·······················31 第 6 章 PWM 控制技術(shù)··········

11、83;····································&

12、#183;·····················35 第 7 章 軟開關(guān)技術(shù)············

13、83;····································&

14、#183;··························40 第 8 章 組合變流電路 ·······&

15、#183;····································

16、;···························42 2 多少？這時，相應(yīng)的電流最大值 Im1、Im2、Im3各為多少? 解：額定電流 I T(AV) =10

17、0A 的晶閘管，允許的電流有效值 I =157A，由上題計算結(jié)果知 a) Im1 ≈ 4767 . 0I ≈329.35， Id1 ≈ 0.2717 Im1 ≈89.48 b) Im2 ≈ 6741 . 0I ≈232.90, Id2 ≈0.5434 Im2 ≈126.56 c) Im3=2 I = 314, Id3= 41 Im3=78.55. GTO 和普通晶閘管同為 PNPN 結(jié)構(gòu)， 為什么 GTO 能夠自關(guān)斷，

18、 而普通晶閘管不能？答：GTO 和普通晶閘管同為 PNPN 結(jié)構(gòu)，由 P1N1P2 和 N1P2N2構(gòu)成兩個晶體管 V1、V2,分別具有共基極電流增益 1 α 和 2 α ，由普通晶閘管的分析可得， 1 α + 2 α =1 是器件臨界導(dǎo)通的條件。 1 α + 2 α ＞1，兩個等效晶體管過飽和而導(dǎo)通； 1 α + 2 α ＜1，不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。GTO 之所以能夠自行關(guān)斷，而普通晶閘管不能，是因為 GTO 與普通晶閘管在設(shè)計和工

19、藝方面有以下幾點不同：1) GTO 在設(shè)計時 2 α 較大，這樣晶體管 V2控制靈敏，易于 GTO 關(guān)斷； 2) GTO 導(dǎo)通時的 1 α + 2 α 更接近于 1，普通晶閘管 1 α + 2 α ≥ 1.15，而 GTO 則為1 α + 2 α ≈1.05， GTO 的飽和程度不深， 接近于臨界飽和， 這樣為門極控制關(guān)斷提供了有利條件；3) 多元集成結(jié)構(gòu)使每個 GTO 元陰極面積很小，門極和陰極間的距離大為縮短，使得P2極區(qū)所謂的

20、橫向電阻很小，從而使從門極抽出較大的電流成為可能。 6. 如何防止電力 MOSFET 因靜電感應(yīng)應(yīng)起的損壞？答：電力 MOSFET 的柵極絕緣層很薄弱，容易被擊穿而損壞。MOSFET 的輸入電容是低泄漏電容，當(dāng)柵極開路時極易受靜電干擾而充上超過 ± 20 的擊穿電壓，所以為防止MOSFET 因靜電感應(yīng)而引起的損壞，應(yīng)注意以下幾點： ① 一般在不用時將其三個電極短接；② 裝配時人體、工作臺、電烙鐵必須接地，測試時所有儀器外殼必須