基于android的msnv7.0手機(jī)客戶(hù)端的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

1、上海交通大學(xué)博士學(xué)位論文金剛石薄膜的n型摻雜--分子動(dòng)力學(xué)模擬和實(shí)驗(yàn)研究姓名：胡曉君申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專(zhuān)業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：何賢昶;蔡珣20031101摘 要 II和磷離子 研究了摻雜后薄膜的退火特性 結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能 結(jié)果表明 較低的注入劑量對(duì)于獲得損傷較少的 n 型金剛石薄膜是有利的 對(duì)于較低注入劑量的樣品 Hall 效應(yīng)測(cè)試表明 800退火后的硼磷共摻雜薄膜呈 n 型電導(dǎo) 在注入的磷離子劑量相同的情況下 同時(shí)注入了硼的金剛石薄

2、膜的載流子濃度與單一摻磷的相近 Hall 遷移率高 電阻率低 SIMS 和 FTIR 結(jié)果表明金剛石薄膜中的硼與氫形成 B-H 復(fù)合體 鈍化了硼的受主特性 使得共摻雜薄膜中電子濃度沒(méi)有大幅度減少 電子順磁共振和 Raman 測(cè)試結(jié)果證實(shí)在較高溫度下退火后 共摻雜薄膜的晶格結(jié)構(gòu)比單摻雜薄膜得到了更好的恢復(fù) 從而有利于提高載流子遷移率 降低電阻率在本征 CVD 金剛石薄膜中注入硫離子和共注入硫磷離子 研究施主雜質(zhì)對(duì)對(duì)金剛石結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影

3、響 Hall 效應(yīng)測(cè)試表明各摻雜薄膜的 Hall 系數(shù)多為負(fù)值 Hall 遷移率比硼磷共注入的大 EPR 和電學(xué)測(cè)試的結(jié)果表明 硫磷共注入相比較硼磷共注入來(lái)說(shuō) 在金剛石中引入的晶格畸變更大 并且導(dǎo)電類(lèi)型不易確認(rèn) 說(shuō)明在本文研究的范圍下 施主雜質(zhì)對(duì)不易得到低電阻率的n 型金剛石薄膜氧是可望得到n型金剛石的雜質(zhì)元素 本文用離子注入方法對(duì)金剛石中的氧摻雜進(jìn)行了研究氧離子注入劑量為 1014 cm- 2和 1015cm- 2 時(shí) 得到了電阻率

4、較低 晶格也比較完整的 n 型金剛石薄膜 隨氧離子注入劑量的增大 載流子濃度也升高 說(shuō)明氧確實(shí)能夠給金剛石中提供電子 是施主雜質(zhì) 測(cè)試得到了 Hall 遷移率和載流子濃度與溫度的關(guān)系 這方面的結(jié)果還未見(jiàn)有文獻(xiàn)報(bào)道通過(guò)載流子濃度與溫度的變化關(guān)系得到了氧在金剛石中的激活能為 0.28eV采用微波 CVD 方法制備了硫摻雜和硼硫共摻雜金剛石薄膜 PIXE 測(cè)試表明硼硫共摻雜能夠提高硫在金剛石中的溶解度 摻雜薄膜的導(dǎo)電類(lèi)型為 n 型 電阻率為

5、0.0263Ùcm 載流子濃度為1.96×1017cm- 3 Hall 遷移率為 1.21×103 cm2 V- 1s- 1 得到了電阻率較文獻(xiàn)報(bào)道值更低 Hall 遷移率更高的摻硫膜 較低的電阻率可能是摻入的硫雜質(zhì)和薄膜中存在 sp2 鍵等多種因素共同作用的結(jié)果關(guān)鍵詞 金剛石薄膜 n 型 共摻雜 電阻率 分子動(dòng)力學(xué) 本研究受到國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目 共摻雜 n 型同質(zhì)外延 CVD 金剛石膜的制備和性能研