第三章 雙極結型晶體管(習題)

1、第三章第三章3–1（a）畫出晶體管在平衡時以及在正向有源工作模式下的能帶圖。PNP（b）畫出晶體管的示意圖并表示出所有的電流成分，寫出各級電流表達式。（c）畫出發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)少子分布示意圖。3–2考慮一個硅晶體管，具有這樣一些參數(shù)：，在均勻摻雜基區(qū)NPNmxB?2?。若集電結被反向偏置，，計231601.01105cmAscmNna???????mAInE1?算在發(fā)射結基區(qū)一邊的過量電子密度、發(fā)射結電壓以及基區(qū)輸運因子。3–3在3

2、–2的晶體管中，假設發(fā)射極的摻雜濃度為，，31810?cmmxE?2?nspE10??，發(fā)射結空間電荷區(qū)中，。計算在時的發(fā)射效率和。s??1.00?mAInE1?FEh3–4一NPN晶體管具有以下規(guī)格：發(fā)射區(qū)面積=1平方密耳，基區(qū)面積=10平方密耳，發(fā)射區(qū)寬度=，基區(qū)寬度=，發(fā)射區(qū)薄層電阻為，基區(qū)薄層電阻m?2m?12?為，集電極電阻率=，發(fā)射區(qū)空穴壽命=，基區(qū)電子壽命=100200?0.3.cm?ns1，假設發(fā)射極的復合電流為常數(shù)并等

3、于。還假設為突變結和均勻摻雜。計算nsA?1、以及時的。用半對數(shù)坐標畫出曲AIE?10?mAmAmAA100101100、、、?A1FEh線。中間電流范圍的控制因素是什么？35（a）根據(jù)式（319）或式（320），證明對于任意的值公式（341）和nBLx（343）變成]EdEPEnBnanixNDLxLNDqAna???)(coth[211nBnainLxhLNnqADaacsc22112??])(coth[222PCdCPCnBnan

4、iLNDLxLNDqAna???（b）證明，若=給出（查~圖）則BamxNG?3181075.0??cmaN?SVcmn.5002??代入數(shù)據(jù)即可。qKTDLnnnnn?????pEELx?3–9若在式中假設，則可在集電極電流I~曲線計算出根TEBVVxainnedxNnqADI??02nCII?cEV梅爾數(shù)。求出3–4中晶體管中的根梅爾數(shù)。采用、以及scmDn352?21.0cmA?。316105.1???cmni3–10（a）證明對

5、于均勻摻雜的基區(qū)，式式簡化為????BBxxxaanTdxdxNNL02)1(11?22211nBTLx???（b）若基區(qū)雜質(zhì)為指數(shù)分布，即，推導出基區(qū)輸運因子的表示式。若BxxaeNN???0基區(qū)雜質(zhì)分布為，推導出基區(qū)輸運因子的表達式。0xLaNNe??311基區(qū)直流擴展電阻對集電極電流的影響可表示為，用公式以及示于圖3－12的數(shù)據(jù)估算出??0expcEBbbTIIVIrV???????bbr?312（a）推導出均勻摻雜基區(qū)晶體管的基

6、區(qū)渡越時間表達式。假設〈〈1。BnxL（b）若基區(qū)雜質(zhì)分布為，重復（a）0BaxxaNNe??313考慮晶體管具有示于圖3－16的雜質(zhì)分布，令發(fā)射極和基極面積相等（10平方密爾）且，發(fā)射極電流，集電結的反偏電壓為，計算在300K時截止0scr?2mA10V頻率。??314若實際晶體管的基極電流增益為e(1j)，證明0??????jm???，0Tm?????（1）式中是共發(fā)射極電流增益模量為1時的頻率。T?315（a）求出圖3－23中輸出