太陽(yáng)能硅片的化學(xué)清洗工藝

1、太陽(yáng)能硅片的化學(xué)清洗工藝太陽(yáng)能硅片的化學(xué)清洗工藝標(biāo)簽：硅片化學(xué)清洗污染太陽(yáng)能離子分類：太陽(yáng)能硅片切割技術(shù)交流2009011023:29太陽(yáng)能硅片經(jīng)過線切割機(jī)的切割加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，要達(dá)到太陽(yáng)能發(fā)電的工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，就必須經(jīng)過嚴(yán)格的清洗工序。由于切割帶來的嚴(yán)重污染，其表面的清洗工序也必然需要比較復(fù)雜和精細(xì)的工藝流程。一、硅片污染分類一、硅片污染分類具體來說太陽(yáng)能硅片表面沾污大致可分為三類：1、有機(jī)雜質(zhì)沾污：可通過有機(jī)試劑的溶解作

2、用，結(jié)合兆聲波清洗技術(shù)來去除。2、顆粒沾污：運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或兆聲波清洗技術(shù)來去除粒徑≥0.4μm顆粒，利用兆聲波可去除≥0.2μm顆粒。3、金屬離子沾污：該污染必須采用化學(xué)的方法才能將其清洗掉。硅片表面金屬雜質(zhì)沾污又可分為兩大類：（1）、沾污離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面。（2）、帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面。二、硅片表面污染的清洗技術(shù)與方法二、硅片表面污染的清洗技術(shù)與方法硅拋光片的化學(xué)清

3、洗目的就在于去除這種沾污，使得硅片達(dá)到工業(yè)應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)。自1970年美國(guó)RCA實(shí)驗(yàn)室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年RCA實(shí)驗(yàn)室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎(chǔ)的各種清洗技術(shù)不斷被開發(fā)出來，比較潮流的清洗技術(shù)有：⑴美國(guó)FSI公司推出離心噴淋式化學(xué)清洗技術(shù)。⑵美國(guó)原CFM公司推出的FullFlowsystems封閉式溢流型清洗技術(shù)。⑶美國(guó)VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學(xué)清洗技術(shù)（例G

4、oldfingerMach2清洗系統(tǒng)）。⑷美國(guó)SSEC公司的雙面檫洗技術(shù)（例M3304DSS清洗系統(tǒng)）。⑸曰本提出無藥液的電介離子水清洗技術(shù)（用電介超純離子水清洗）使拋光片表面潔凈技術(shù)達(dá)到了新的水平。⑹以HFO3為基礎(chǔ)的硅片化學(xué)清洗技術(shù)。目前在實(shí)際的太陽(yáng)能硅片切割清洗過程中，一般按按下述辦法進(jìn)行清洗以去除沾污。1、用H2O2作強(qiáng)氧化劑，使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。2、用無害的小直徑強(qiáng)正離子

5、（如H），一般用HCL作為H的來源，替代吸附在硅片表面的金屬離子，使其溶解于清洗液中，從而清除金屬離子。3、用大量去離子水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。由于SC1是H2O2和NH4OH的堿性溶液，通過H2O2的強(qiáng)氧化和NH4OH的溶解作用，使有機(jī)物沾污變成水溶性化合物，隨去離子水的沖洗而被排除；同時(shí)溶液具有強(qiáng)氧化性和絡(luò)合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等，使其變成高價(jià)離子，然后進(jìn)一步與堿作用，生成