2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、選擇NMOS器件的襯底是型半導(dǎo)體。(B)A.N型B.P型C.本征型D.耗盡型N型半導(dǎo)體材料的遷移率比P型半導(dǎo)體材料的遷移率(C)A.相等B.小C.大D.不確定在layout中給金屬線加線名標(biāo)注,即用lable按schematic的Pin的要求對(duì)所要標(biāo)注的金屬線進(jìn)行說(shuō)明,通常對(duì)metal1層加Pin的標(biāo)注是用下列層次中的哪一層?(b)A.metal1layerB.mt1txtlayerC.metal2layerD.mt2txtlayer在

2、集成電路版圖設(shè)計(jì)中,via1層通常是用來(lái)做第一層金屬層和下列哪些層次的通孔層的?(A)A.metal2B.activeC.polyD.nmell在集成電路版圖設(shè)計(jì)中,如果想插入一個(gè)器件或單元,請(qǐng)問(wèn)用哪個(gè)快捷鍵?(C)A.aB.c大。D盡管存在制造工藝上的偏差,但是無(wú)源器件的比例容差(RatioTolerance)可以控制在很小的范圍內(nèi)。PMOS器件的襯底是型半導(dǎo)體。(A)A.N型B.P型C.active_contactD.都不需要要想將

3、版圖中的金屬2與金屬1實(shí)現(xiàn)電連接,需要在它們之間加上(A)A.viaB.poly_contactC.active_contactD.不確定MOS晶體管是一種控制器件。(A)A.電壓B.電流C.電阻D.電容即使版圖中晶體管的尺寸與所對(duì)應(yīng)的線路圖完全一致,仿真的結(jié)果依然會(huì)有差異,主要的原因是?(A)A.版圖仿真時(shí)參數(shù)選擇上考慮了寄生效應(yīng)。B.晶體管的性能與尺寸無(wú)關(guān)。C.實(shí)際是相同的,只是仿真的結(jié)果有誤差。D.上述原因都不對(duì)。CMOS與非門(mén)中

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