電力電子技術第四版答案

1、目錄第1章電力電子器件電力電子器件1第2章整流電路整流電路4第3章直流斬波電路直流斬波電路20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路交流電力控制電路和交交變頻電路26第5章逆變電路逆變電路31第6章PWM控制技術控制技術35第7章軟開關技術軟開關技術40第8章組合變流電路組合變流電路4224.上題中如果不考慮安全裕量上題中如果不考慮安全裕量問100A的晶閘管能送出的平均電流的晶閘管能送出的平均電流Id1、Id2、Id3各為多少？這時，相應

2、的電流最大值各為多少？這時，相應的電流最大值Im1、Im2、Im3各為多少各為多少解：額定電流解：額定電流IT(AV)=100A的晶閘管，允許的電流有效值的晶閘管，允許的電流有效值I=157A，由上題計算結果知，由上題計算結果知a)Im1?4767.0I?329.35，Id1?0.2717Im1?89.48b)Im2?6741.0I?232.90Id2?0.5434Im2?126.56c)Im3=2I=314Id3=41Im3=78.5

3、5.GTO和普通晶閘管同為和普通晶閘管同為PNPN結構，為什么結構，為什么GTO能夠自關斷，而普通晶閘管不能？能夠自關斷，而普通晶閘管不能？答：答：GTO和普通晶閘管同為和普通晶閘管同為PNPN結構，由結構，由P1N1P2和N1P2N2構成兩個晶體管構成兩個晶體管V1、V2分別具有共基極電流增益分別具有共基極電流增益1?和2?，由普通晶閘管的分析可得，，由普通晶閘管的分析可得，1?2?=1是器件臨界導通的條件。是器件臨界導通的條件。1?

4、2?＞1，兩個等效晶體管過飽和而導通；，兩個等效晶體管過飽和而導通；1?2?＜1，不能維持飽和導通而關斷。，不能維持飽和導通而關斷。GTO之所以能夠自行關斷，而普通晶閘管不能，是因為之所以能夠自行關斷，而普通晶閘管不能，是因為GTO與普通晶閘管在設計和工藝方面有以下幾點不同：與普通晶閘管在設計和工藝方面有以下幾點不同：1)GTO在設計時在設計時2?較大，這樣晶體管較大，這樣晶體管V2控制靈敏，易于控制靈敏，易于GTO關斷；關斷；2)GT

5、O導通時的導通時的1?2?更接近于更接近于1，普通晶閘管，普通晶閘管1?2??1.15，而，而GTO則為則為1?2??1.05，GTO的飽和程度不深，接近于臨界飽和，這樣為門極控制關斷提供了有利條件；的飽和程度不深，接近于臨界飽和，這樣為門極控制關斷提供了有利條件；3)多元集成結構使每個多元集成結構使每個GTO元陰極面積很小，門極和陰極間的距離大為縮短，使得元陰極面積很小，門極和陰極間的距離大為縮短，使得P2極區(qū)所謂的橫向電阻很小，從而

6、使從門極抽出較大的電流成為可能。極區(qū)所謂的橫向電阻很小，從而使從門極抽出較大的電流成為可能。6.如何防止電力如何防止電力MOSFET因靜電感應應起的損壞？因靜電感應應起的損壞？答：電力答：電力MOSFET的柵極絕緣層很薄弱，容易被擊穿而損壞。的柵極絕緣層很薄弱，容易被擊穿而損壞。MOSFET的輸入電容是低泄漏電容，當柵極開路時極易受靜電干擾而充上超過的輸入電容是低泄漏電容，當柵極開路時極易受靜電干擾而充上超過?20的擊穿電壓，所以為防止