國立交通大學(xué)奈米中心申請24小時自行操作儀器申請表

1、國立交通大學(xué)奈米中心（申請24小時自行操作儀器申請表）新核準(zhǔn)使用者白天或夜間假日時段儀器設(shè)備使用記錄表奈米中心承辦人確認(rèn)：※請務(wù)必將此申請表先送至奈米中心承辦人處核章※請務(wù)必將此申請表先送至奈米中心承辦人處核章後，後，才可憑此申請表單進(jìn)入潔淨(jìng)室累積實作記錄才可憑此申請表單進(jìn)入潔淨(jìng)室累積實作記錄違規(guī)者將進(jìn)行懲處違規(guī)者將進(jìn)行懲處※本表單可於白天或夜間時段累積實作記錄，若於白天時段累積時數(shù)者，則不需於夜間累積欄位簽名※本表單可於白天或夜間時段

2、累積實作記錄，若於白天時段累積時數(shù)者，則不需於夜間累積欄位簽名姓名：學(xué)校系所(所屬單位)：聯(lián)絡(luò)電話：指導(dǎo)教授或單位主管：職稱：□碩士班□博士班□其它使用儀器設(shè)備名稱次數(shù)累計使用儀器設(shè)備日期及時間夜間累積夜間累積帶領(lǐng)者簽名帶領(lǐng)者簽名申請者簽名申請者簽名設(shè)備管理人簽名第一次月日；時～時第二次月日；時～時第三次月日；時～時第四次月日；時～時第五次月日；時～時合計次小時※注意事項：※注意事項：1.一部儀器設(shè)備填寫一張記錄表；每次使用後務(wù)必確實記

3、錄並請技術(shù)員簽名。2.符合各儀器設(shè)備實作次數(shù)後，請連同此表至承辦小姐處申請24小時操作。3.通過考核藉由夜間累積時數(shù)者通過考核藉由夜間累積時數(shù)者須由具備須由具備24小時資格者小時資格者帶領(lǐng)進(jìn)入實驗室?guī)ьI(lǐng)進(jìn)入實驗室並同時於上列欄框並同時於上列欄框內(nèi)共同簽名內(nèi)共同簽名帶領(lǐng)者須在申請者旁負(fù)督導(dǎo)之責(zé)帶領(lǐng)者須在申請者旁負(fù)督導(dǎo)之責(zé)如有虛偽造假如有虛偽造假冒名代簽等違規(guī)情事冒名代簽等違規(guī)情事帶領(lǐng)者及帶領(lǐng)者及申請者依規(guī)予以嚴(yán)懲申請者依規(guī)予以嚴(yán)懲(停權(quán)一

4、個月以上停權(quán)一個月以上~禁入實驗室等處分禁入實驗室等處分)儀器設(shè)備名稱三個月內(nèi)累積實作次數(shù)1.濕式工作臺（WetBench）３次2.光罩對準(zhǔn)曝光機(jī)與光阻處理系統(tǒng)(MaskAligner)５次3.雙面光罩對準(zhǔn)曝光機(jī)(DoubleSideMaskAligner)５次4.高密度活性離子蝕刻系統(tǒng)(HDPRIE)５次5.氧化擴(kuò)散系統(tǒng)(前B臺設(shè)備)Oxidation&Diffusionfurnaces３次6.低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（LPCVD）５次7

5、.電漿輔助化學(xué)沉積系統(tǒng)（PECVD）PD220５次8.熱阻絲蒸鍍系統(tǒng)(ThermalEvapationCoater)３次9.雙電子鎗蒸鍍系統(tǒng)(DualEGunEvapationSystem)A臺及B臺５次10.真空濺鍍系統(tǒng)SputterSystemA臺４次11.真空濺鍍系統(tǒng)SputterSystemB臺４次12.複晶矽活性離子蝕刻系統(tǒng)(PolySiRIE)５次13.矽深蝕刻系統(tǒng)（DEEPRIE）５次14.介電性材料活性離子蝕刻機(jī)（RIE

6、200L）５次15.多腔體電漿蝕刻系統(tǒng)(P5000E)５次16.全光譜反射式膜厚量測儀(Reflectometer)５次17.原子層化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(ALD)５次18.橢圓測試儀(Ellipsometer)５次19.探針式輪廓儀(DektakXT)３次107.10.03修訂國立交通大學(xué)奈米中心（申請24小時自行操作儀器申請表）新核準(zhǔn)使用者白天或夜間假日時段儀器設(shè)備使用記錄表奈米中心承辦人確認(rèn)：※請務(wù)必將此申請表先送至奈米中心承辦人處核章

7、※請務(wù)必將此申請表先送至奈米中心承辦人處核章後，後，才可憑此申請表單進(jìn)入潔淨(jìng)室累積實作記錄才可憑此申請表單進(jìn)入潔淨(jìng)室累積實作記錄違規(guī)者將進(jìn)行懲處違規(guī)者將進(jìn)行懲處※本表單可於白天或夜間時段累積實作記錄，若於白天時段累積時數(shù)者，則不需於夜間累積欄位簽名※本表單可於白天或夜間時段累積實作記錄，若於白天時段累積時數(shù)者，則不需於夜間累積欄位簽名姓名：學(xué)校系所(所屬單位)：聯(lián)絡(luò)電話：指導(dǎo)教授或單位主管：職稱：□碩士班□博士班□其它使用儀器設(shè)備名稱次

8、數(shù)累計使用儀器設(shè)備日期及時間夜間累積夜間累積帶領(lǐng)者簽名帶領(lǐng)者簽名申請者簽名申請者簽名設(shè)備管理人簽名第一次月日；時～時第二次月日；時～時第三次月日；時～時第四次月日；時～時第五次月日；時～時合計次小時※注意事項：※注意事項：1.一部儀器設(shè)備填寫一張記錄表；每次使用後務(wù)必確實記錄並請技術(shù)員簽名。2.符合各儀器設(shè)備實作次數(shù)後，請連同此表至承辦小姐處申請24小時操作。3.通過考核藉由夜間累積時數(shù)者通過考核藉由夜間累積時數(shù)者須由具備須由具備24小

9、時資格者小時資格者帶領(lǐng)進(jìn)入實驗室?guī)ьI(lǐng)進(jìn)入實驗室並同時於上列欄框並同時於上列欄框內(nèi)共同簽名內(nèi)共同簽名帶領(lǐng)者須在申請者旁負(fù)督導(dǎo)之責(zé)帶領(lǐng)者須在申請者旁負(fù)督導(dǎo)之責(zé)如有虛偽造假如有虛偽造假冒名代簽等違規(guī)情事冒名代簽等違規(guī)情事帶領(lǐng)者及帶領(lǐng)者及申請者依規(guī)予以嚴(yán)懲申請者依規(guī)予以嚴(yán)懲(停權(quán)一個月以上停權(quán)一個月以上~禁入實驗室等處分禁入實驗室等處分)儀器設(shè)備名稱三個月內(nèi)累積實作次數(shù)1.濕式工作臺（WetBench）３次2.光罩對準(zhǔn)曝光機(jī)與光阻處理系統(tǒng)(Ma

10、skAligner)５次3.雙面光罩對準(zhǔn)曝光機(jī)(DoubleSideMaskAligner)５次4.高密度活性離子蝕刻系統(tǒng)(HDPRIE)５次5.氧化擴(kuò)散系統(tǒng)(前B臺設(shè)備)Oxidation&Diffusionfurnaces３次6.低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（LPCVD）５次7.電漿輔助化學(xué)沉積系統(tǒng)（PECVD）PD220５次8.熱阻絲蒸鍍系統(tǒng)(ThermalEvapationCoater)３次9.雙電子鎗蒸鍍系統(tǒng)(DualEGunEvap

11、ationSystem)A臺及B臺５次10.真空濺鍍系統(tǒng)SputterSystemA臺４次11.真空濺鍍系統(tǒng)SputterSystemB臺４次12.複晶矽活性離子蝕刻系統(tǒng)(PolySiRIE)５次13.矽深蝕刻系統(tǒng)（DEEPRIE）５次14.介電性材料活性離子蝕刻機(jī)（RIE200L）５次15.多腔體電漿蝕刻系統(tǒng)(P5000E)５次16.全光譜反射式膜厚量測儀(Reflectometer)５次17.原子層化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(ALD)５次18