半導體物理學第7版第五章習題及答案

1、第五章習題第五章習題1.在一個n型半導體樣品中，過剩空穴濃度為1013cm3空穴的壽命為100us。計算空穴的復合率。2.用強光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產(chǎn)生過剩載流子，產(chǎn)生率為空穴壽命為?。（1）寫出光照下過剩載流子所滿足的方程；（2）求出光照下達到穩(wěn)定狀態(tài)時的過載流子濃度。3.有一塊n型硅樣品，壽命是1us，無光照時電阻率是10??cm。今用光照射該樣品，光被半導體均勻的吸收，電子空穴對的產(chǎn)生率是1022cm3?s1試計算光

2、照下樣品的電阻率，并求電導中少數(shù)在流子的貢獻占多大比例？4.一塊半導體材料的壽命?=10us，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，試求光照突然停止20us后，scmpUscmpUp317101001031310U10010613?????????????????得：解：根據(jù)？求：已知：?????gpgpdtpdgAetpgpdtpdLLtL????????????????????.00)2()(達到穩(wěn)定狀態(tài)時，方程的通解：梯度，無飄移。解：

3、均勻吸收，無濃度cmspqnqqpqnpqnpcmqpqncmgnpgppnpnpnpnL06.396.21.0500106.1101350106.11010.0:101:1010100.1916191600000316622???????????????????????????????????????????????????光照后光照前光照達到穩(wěn)定態(tài)后%2606.38.006.3500106.1109...32.01191610???

4、???????????????puppppcm的貢獻主要是所以少子對電導的貢獻獻少數(shù)載流子對電導的貢?7.摻施主濃度ND=1015cm3的n型硅，由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子?n=?p=1014cm3。試計算這種情況下的準費米能級位置，并和原來的費米能級作比較。8.在一塊p型半導體中，有一種復合產(chǎn)生中心，小注入時，被這些中心俘獲的電子發(fā)射回導帶的過程和它與空穴復合的過程具有相同的概率。試求這種復合產(chǎn)生中心的能級位置，并說明它能否成為有

5、效的復合中心？???????????????????????????????????TkEEenpTkEEenncmNnpppcmnnnFPiioiFniDi01414152101420315141503101010)105.1(10101.11010?度強電離情況，載流子濃0.0517eVPFEFE0.0025eVFEnFE0.289eV10101.51410Tln0kinDNTlnokiEFE平平平0.229eV10101.5141

6、0Tln0kiEFPEiPPTln0kiEFPE0.291eV10101.515101.1Tln0kiEFnEinnTln0kiEFnE??????????????????????????TkEEenppppppnrkEEennrpnrnTkEEenrnnrnsnNoFiitpoititntntoitintntntt?????????????001T.小注入：由題知，從價帶俘獲空穴向導帶發(fā)射電子被電子占據(jù)復合中心接復合理論：解：根據(jù)復合