電子科技大學微電子器件習題

1、電子科技大學微電子器件習題第二章PN結填空題1、若某突變PN結的P型區(qū)的摻雜濃度為NA=1.51016cm3，則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為（）和（）。2、在PN結的空間電荷區(qū)中，P區(qū)一側帶（）電荷，N區(qū)一側帶（）電荷。內(nèi)建電場的方向是從（）區(qū)指向（）區(qū)。3、當采用耗盡近似時，N型耗盡區(qū)中的泊松方程為（）。由此方程可以看出，摻雜濃度越高，則內(nèi)建電場的斜率越（）。4、PN結的摻雜濃度越高，則勢壘區(qū)的長度就越（）

2、，內(nèi)建電場的最大值就越（），內(nèi)建電勢Vbi就越（），反向飽和電流I0就越（），勢壘電容CT就越（），雪崩擊穿電壓就越（）。5、硅突變結內(nèi)建電勢Vbi可表為（），在室溫下的典型值為（）伏特。6、當對PN結外加正向電壓時，其勢壘區(qū)寬度會（），勢壘區(qū)的勢壘高度會（）。7、當對PN結外加反向電壓時，其勢壘區(qū)寬度會（），勢壘區(qū)的勢壘高度會（）。8、在P型中性區(qū)與耗盡區(qū)的邊界上，少子濃度np與外加電壓V之間的關系可表示為（）。若P型區(qū)的摻雜濃度17

3、、大注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的（）濃度遠大于該區(qū)的（）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（）多子濃度可以忽略。18、勢壘電容反映的是PN結的（）電荷隨外加電壓的變化率。PN結的摻雜濃度越高，則勢壘電容就越（）；外加反向電壓越高，則勢壘電容就越（）。19、擴散電容反映的是PN結的（）電荷隨外加電壓的變化率。正向電流越大，則擴散電容就越（）；少子壽命越長，則擴散電容就越（）。20、在PN結開關管中，在外加電壓從正向變?yōu)榉聪蚝蟮囊欢螘r間內(nèi)，會