電力電子技術第四版答案1

1、目錄第1章電力電子器件???????????????????????????????????????????????????????????????????????1第2章整流電路???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????4第3章直流斬波電路?????????????????????????????????????????

2、????????????????????????????20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路?????????????????????????????????26第5章逆變電路?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????31第6章PWM控制技術?????????????????????????????????????????

3、?????????????????????????35第7章軟開關技術?????????????????????????????????????????????????????????????????????????40第8章組合變流電路?????????????????????????????????????????????????????????????????????4224.上題中如果不考慮安全裕量問100A的晶閘管能送出的平均

4、電流Id1、Id2、Id3各為多少？這時，相應的電流最大值Im1、Im2、Im3各為多少解：額定電流IT(AV)=100A的晶閘管，允許的電流有效值I=157A，由上題計算結果知a)Im1329.35，Id10.2717Im189.48?4767.0I???b)Im2232.90Id20.5434Im2126.56?6741.0I???c)Im3=2I=314Id3=Im3=78.5415.GTO和普通晶閘管同為PNPN結構，為什么GT

5、O能夠自關斷，而普通晶閘管不能？答：GTO和普通晶閘管同為PNPN結構，由P1N1P2和N1P2N2構成兩個晶體管V1、V2分別具有共基極電流增益和，由普通晶閘1?2?管的分析可得，=1是器件臨界導通的條件。＞1，兩個1?2?1?2?等效晶體管過飽和而導通；＜1，不能維持飽和導通而關斷。1?2?GTO之所以能夠自行關斷，而普通晶閘管不能，是因為GTO與普通晶閘管在設計和工藝方面有以下幾點不同：1)GTO在設計時較大，這樣晶體管V2控制靈

6、敏，易于GTO2?關斷；2)GTO導通時的更接近于1，普通晶閘管1.15，1?2?1?2??而GTO則為1.05，GTO的飽和程度不深，接近于臨界飽和，1?2??這樣為門極控制關斷提供了有利條件；3)多元集成結構使每個GTO元陰極面積很小，門極和陰極間的距離大為縮短，使得P2極區(qū)所謂的橫向電阻很小，從而使從門極抽出較大的電流成為可能。6.如何防止電力MOSFET因靜電感應應起的損壞？答：電力MOSFET的柵極絕緣層很薄弱，容易被擊穿而損