單晶片化學機械單面拋光機的的設計

1、畢業(yè)論文（設計）立題表畢業(yè)論文（設計）立題表立題題目單晶片拋光機的設計題目來源□來源于生產實際□來源于科研項目□其他題目性質□基礎研究□應用研究□應用基礎研究□其他題目完成形式□畢業(yè)論文□畢業(yè)設計申請立題教師杜宏偉職稱講師從事專業(yè)機械工程立題說明：CMP技術是超大規(guī)模集成電路制造過程中的關鍵技術之一CMP設備作為技術的載體，是集機械和化學拋光技術優(yōu)勢于一體的先進拋光設備，是原始硅片、氧化物、鎢、層間介質、淺溝道隔離、多晶硅等膜片拋光的優(yōu)

2、選設備，是銅互連技術中必不可少的先進制造設備。它已成為設備制造行業(yè)進入下一代工藝設備市場的新挑戰(zhàn)，只有迎接挑戰(zhàn)，開發(fā)工藝及設備，以保障工業(yè)持續(xù)發(fā)展和綜合技術逐步提高。CMP設備的研究開發(fā)工作過去主要集中在以美國為主的聯合體SEMATECH，現在己發(fā)展到全球，如歐洲聯合體JESSI、法國研究公司LETI和C等，日本在CMP方面發(fā)展很快，并且還從事硅片CMP設備供應。我國臺灣和韓國也在CMP方面研究較多，但我國國內在CMP設備方面的研究者甚

3、少。國內硅片制造水平與國外相比有較大差距，仍以直徑100~150mm的硅片為主流產品，直徑為200mm的硅片才開始規(guī)模生產，生產設備，幾乎都要從國外引進。因此，我們必須依靠自己的力量研究具有自主知識產權的大直徑硅片的超精密加工技術與設備。本課題設計一臺晶片雙面化學機械拋光實驗機，提高加工效率和精度。其工件為浮動狀態(tài)，上下拋光盤同時對工件進行拋光加工。機床主要用于拋光硅片、鉭酸鋰和鈮酸鋰等單晶薄片材料。教研室意見教研室主任簽名：年月日畢業(yè)