s3c2410存儲系統(tǒng)設(shè)計

1、S3C2410存儲系統(tǒng)設(shè)計,MMU,內(nèi)存管理部件MMU通過內(nèi)存映射技術(shù)實現(xiàn)虛擬空間到物理空間的映射。在系統(tǒng)加電時，將ROM/FLASH映射為地址0x00000000，這樣可以進(jìn)行一些初始化處理；當(dāng)這些初始化完成后將RAM地址映射為0x00000000，并把系統(tǒng)程序加載到RAM中運行，這樣很好地解決了嵌入式系統(tǒng)的需要。,,利用1塊8位ROM芯片擴(kuò)展8位ROM存儲器,利用2塊8位ROM芯片擴(kuò)展16位ROM存儲器,利用4塊8位ROM芯片擴(kuò)展3

2、2位ROM存儲器,,,利用1塊16位ROM芯片擴(kuò)展16位ROM存儲器,利用1塊16位SRAM芯片擴(kuò)展16位SRAM存儲器,利用2塊16位SRAM芯片32位SRAM存儲器,利用1塊16位（4M×16）SDRAM芯片擴(kuò)展16位SDRAM存儲器,利用2塊16位（4M×16）SDRAM芯片擴(kuò)展32位SDRAM存儲器,ARM 核心板,NAND flash和NOR flash,NAND Flash可獨立成為外存，也可組成其他

3、各種類型的電子盤如USB盤、CF、SD和MMC存儲卡等。NAND Flash強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NAND Flash具有容量大、回寫速度快、芯片面積小等特點，主要用于外存。NOR Flash具有隨機(jī)存儲速度快、電壓低、功耗低、穩(wěn)定性高等特點，主要用于主存,NANd flash和NOR flash性能比較,NOR的讀速度比NAND稍快一些NAND的寫入速度比NOR快很多NAND的

4、擦除速度遠(yuǎn)比NOR的快大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少,NAND flash和NOR flash接口比較,NOR flash帶有SRAM接口，線性尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)NAND flash使用復(fù)用接口和控制IO多次尋址存取數(shù)據(jù)NAND flash讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點有點像硬盤管理，此類操作易于取代硬盤等類似的塊設(shè)備,S3C2410與NAND Flash的