2011年---（節(jié)選）外文翻譯--綜述等離子體納米光刻（譯文）

1、<p><b>　　中文4500字</b></p><p>　　出處：Xie Z, Yu W, Wang T, et al. Plasmonic Nanolithography: A Review[J]. Plasmonics, 2011, 6(3):565-580.</p><p>　　綜述：等離子體納米光刻</p><p>　　Z

2、hihua Xie &Weixing Yu & Taisheng Wang &</p><p>　　Hongxin Zhang & Yongqi Fu & Hua Liu & Fengyou Li &</p><p>　　Zhenwu Lu & Qiang Sun</p><p>　　接收于2011年1

3、月9日/承認(rèn)于2011年5月23日/網(wǎng)上出版于2011年5月31日</p><p>　　©斯普林格科學(xué)+商業(yè)傳媒，LLC2011</p><p><b>　　摘要</b></p><p>　　表面等離子體激元（SPPs）在最近十年間引起了極大的關(guān)注，并且由于不受衍射極限限制</p><p>　　的能力而被成功應(yīng)

4、用到納米級(jí)光刻中。這篇文章回顧了被認(rèn)為是下一代納米光刻最卓越的技術(shù)之一的等離子體納米光刻近期的發(fā)展。納米光刻實(shí)驗(yàn)建立在SPPs效應(yīng)的基礎(chǔ)上。從細(xì)節(jié)回顧三種類型的等離子體納米光刻措施：接觸式納米光刻，透鏡成像式納米光刻，和直寫式納米光刻，并且相應(yīng)的分析對(duì)比它們的優(yōu)缺點(diǎn)。最后，暗示了等離子體納米光刻的發(fā)展趨勢(shì)。</p><p>　　Z. Xie : T. Wang : H. Zhang : H. Liu : F. L

5、i : Z. Lu : Q. Sun</p><p><b>　　光電子工程中心,</b></p><p>　　長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所，</p><p><b>　　中國(guó)科學(xué)院，</b></p><p>　　長(zhǎng)春，吉林130033，中國(guó)</p><p>　　Z. Xie

6、 : T. Wang</p><p>　　中國(guó)科學(xué)院研究生院,</p><p>　　北京100039, 中國(guó)</p><p><b>　　W. Yu (*)</b></p><p>　　應(yīng)用光學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,</p><p>　　長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所，</p><p&

7、gt;<b>　　中國(guó)科學(xué)院，</b></p><p>　　長(zhǎng)春，吉林130033，中國(guó)</p><p>　　郵箱：yuwx@ciomp.ac.cn</p><p><b>　　Y. Fu (*)</b></p><p><b>　　物理電子學(xué)院,</b></p>

8、<p><b>　　電子科技大學(xué)，</b></p><p>　　成都610054，四川省，中國(guó)</p><p>　　郵箱：yqfu@uestc.edu.cn</p><p><b>　　關(guān)鍵字</b></p><p>　　等離子體納米光刻，接觸式納米光刻，透鏡成像式光刻</p>

9、;<p><b>　　介紹</b></p><p>　　光刻技術(shù)和電子束蝕刻技術(shù)相比，由于它的高生產(chǎn)量和更有效率的成本，縱觀最近幾十年的光寫技術(shù)，被認(rèn)作是半導(dǎo)體工業(yè)制作技術(shù)的主流。更高的產(chǎn)量，更低的成本，更好的解決方案，以及對(duì)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化是我們通常追求的目標(biāo)。之前已開(kāi)發(fā)了多種納米光刻技術(shù)，比如電子束蝕刻，納米壓印光刻，浸潤(rùn)筆光刻等等。對(duì)于電子束蝕刻，低于10nm的最小分辨率已

10、經(jīng)被展示了，但此項(xiàng)技術(shù)的產(chǎn)量很低，以至于它主要用于遮片的制作而非大規(guī)模生產(chǎn)。隨著低于10nm工藝和高產(chǎn)量的解決，納米壓印光刻被應(yīng)用于大規(guī)模生產(chǎn)。然而，作為一種替代措施，納米壓印光刻仍然存在一些問(wèn)題。其中一個(gè)問(wèn)題就是在壓印過(guò)后的剩余抗蝕層可能會(huì)限制它的應(yīng)用。浸潤(rùn)筆光刻和電子束光刻一樣有低產(chǎn)量的缺點(diǎn)。除了上述技術(shù)，光子光刻也是納米光刻的一項(xiàng)重要技術(shù)。納米光刻中傳統(tǒng)的光子光刻包括光學(xué)投影光刻（193浸潤(rùn)式光刻），X射線光刻，超紫外光刻，波帶片

11、陣列光刻等等。光學(xué)投影光刻由于它的高產(chǎn)量主要應(yīng)用于工業(yè)。但是隨著更小特征尺寸的要求，傳統(tǒng)的光學(xué)投影光刻不可以解決由于衍射極限限制而導(dǎo)致的問(wèn)題。一般而言，提高光學(xué)投影光刻的分辨率是通過(guò)減小照射光波長(zhǎng)或增大數(shù)值孔徑來(lái)實(shí)現(xiàn)的，這也導(dǎo)致很多復(fù)雜</p><p>　　近場(chǎng)光學(xué)光刻提供了一種新的擺脫衍射極限限制并且實(shí)現(xiàn)不受理論限制的分辨率。最近，報(bào)道了很多不同類型的近場(chǎng)光刻。傳統(tǒng)的近場(chǎng)光刻通過(guò)使用諸如光耦合薄膜或相移薄膜等特

12、殊的薄膜已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了低于50nm級(jí)別的分辨率。但是近場(chǎng)光刻的一個(gè)最主要缺點(diǎn)就是光的透射比很低。對(duì)于薄膜上小于照射波長(zhǎng)的孔徑，因?yàn)榻^大部分的光被衍射和反射，抵達(dá)抗蝕層的光便極少。這導(dǎo)致了曝光時(shí)間很長(zhǎng)和照片對(duì)比度低。</p><p>　　新近，基于表面等離子體激元（SPPs）理論發(fā)展的近場(chǎng)光學(xué)被用于進(jìn)一步改善近場(chǎng)光刻分辨率的目的。表面等離子體（SPs）是存在于金屬或電介質(zhì)界面的聚集電子。SPs有它自己獨(dú)特的色散關(guān)系，這

13、種色散關(guān)系也決定了超越衍射極限的分辨率，它可以用等式（1）來(lái)表示</p><p><b>　?。?）</b></p><p>　　其中，是真空中光的波長(zhǎng)，和分別是電介質(zhì)層和金屬層的介電常數(shù)。從色散方程，我們可以得到表面等離子體的波長(zhǎng)比真空中光波波長(zhǎng)短，較短的波長(zhǎng)對(duì)于超越衍射極限的分辨率起作用。表面等離子體以兩種形式存在，傳播形式和局域化形式。在光滑薄膜上，表面等離子體

14、激元在金屬介質(zhì)表面以倏逝電磁波的形式傳播，這是金屬表面自由傳導(dǎo)電子集體振蕩的結(jié)果。通常，由于光波和等離子體波的動(dòng)量不匹配，表面等離子體激元不易被激發(fā)。帶有孔徑排列和周期分布的金屬薄膜可以補(bǔ)償不匹配的動(dòng)量進(jìn)而激發(fā)表面等離子體激元。局域表面等離子體共振并非在水平面?zhèn)鞑?，而是限制了隔離納米粒子附近表面的電磁場(chǎng)。對(duì)于單一的亞波長(zhǎng)孔徑，由于局域化表面等離子體的存在，傳播可被增強(qiáng)。至于周期性的孔徑陣列，傳播的增強(qiáng)則是由局域化等離子體和表面等離子體的

15、完整效應(yīng)引起的。基于表面等離子體理論的光刻技術(shù)被稱為等離子體光子光刻。對(duì)于等離子體光子光刻，由于透射比的增大，分辨率和對(duì)比度可被顯著提高。最近，有很多基于表面等離子體的光刻實(shí)驗(yàn)。計(jì)算機(jī)數(shù)值仿真顯示了使用365nm波長(zhǎng)的照射光可以達(dá)到20nm的分辨率?？瓷先サ入x子體光子光刻擁有滿足高分辨率的潛力。在這篇文章中，我們首先會(huì)</p><p><b>　　等離子體納米光刻</b></p>

16、<p>　　一般的說(shuō)，等離子體納米光刻依照曝光措施可以被分成三種類型：接觸式納米光刻，平面透鏡成像納米光刻，和直寫式納米光刻。在接下來(lái)的章節(jié)，我們會(huì)把實(shí)驗(yàn)分成上述三種類型盡可能多的回顧等離子體納米光刻。</p><p><b>　　等離子體接觸式光刻</b></p><p>　　等離子體接觸式光刻是一種為了提高亞波長(zhǎng)成像質(zhì)量的模式化的倏逝近場(chǎng)光學(xué)光刻。在

17、此項(xiàng)措施中，源于金屬薄膜的光刻膠暴露在表面等離子體激元下。由于表面等離子體激元僅在金屬薄膜以下幾十個(gè)納米傳播，薄膜和光刻膠的緊密接觸就很有必要。使用此項(xiàng)技術(shù)付出了很多的努力。</p><p>　　在2005年，Srituravanich et al.實(shí)驗(yàn)性的證明了通過(guò)在銀薄膜使用平面孔徑的方法把納米光刻的半節(jié)距分辨率縮小到了60nm.光源是一個(gè)峰值輻射為365nm的過(guò)濾汞燈。原理圖如圖1a所示。薄膜由帶有周期性分

18、布的二維孔徑的銀薄膜層組成，銀薄膜層上下為硅層和光刻膠層（折射率分別為1.48和1.57）。銀層厚度為40nm，孔陣列周期為120nm，孔的直徑為60nm。為了增加銀層和硅層的粘附力，降低表面粗糙程度，銀層和硅層中間有一個(gè)3nm厚的粘附層。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，小特征尺寸可以以很小的表面粗糙度耦合到銀層中，如圖1b所示。</p><p>　　Fig. 1 a Schematic of lithography setup

19、designed by Srituravanich et al. </p><p>　　b The silver mask with hole array used in this experiment</p><p>　　圖1 a 由Srituravanich et al設(shè)計(jì)的光刻結(jié)構(gòu)原理圖</p><p>　　b 實(shí)驗(yàn)中帶有孔徑陣列的銀層</p>

20、<p>　　一層15nm厚光刻膠的墊層覆蓋在銀層上。負(fù)性光致抗蝕劑（SU-8）直接覆蓋在隔離層上，并且聚合在薄膜上以消除光刻過(guò)程中薄膜和光刻膠之間的間隙差異。特征尺寸小至60nm（相當(dāng)于）的二維孔徑陣列可以通過(guò)暴露在照度為80mJ/cm2的光中獲得，如圖2所示。光刻膠的特征尺寸和薄膜上模式尺寸一樣。因此，分辨率主要受薄膜分辨率限制。由于表面等離子體激元在這種情況下非常短的傳播長(zhǎng)度（<20nm)，模式保真度格外高。值得

21、注意的是由于鋁層可以在紫外范圍激發(fā)等離子體激元，鋁層也可以作為薄膜，Srituravanich et al已經(jīng)成功的使用365nm波長(zhǎng)的光源獲得了170nm周期的低于100nm的點(diǎn)陣模式。但是，通過(guò)使用商業(yè)有限差異時(shí)域軟件（微軟制作）的計(jì)算仿真結(jié)果顯示，在平面波（=365nm）照射下，通過(guò)銀孔徑陣列的電場(chǎng)傳播在電場(chǎng)強(qiáng)度上有一個(gè)明顯的增強(qiáng)，與通過(guò)鋁孔徑陣列對(duì)比，場(chǎng)的分布也被緊緊限制。因此，可以推斷，在365nm波長(zhǎng)的照射下，銀層可以比鋁層

22、實(shí)現(xiàn)更好的模式。</p><p>　　Shao et al.開(kāi)發(fā)了一個(gè)與上述類似的表面等離子體輔助的納米光刻系統(tǒng)，光源是紫外光源。光罩使用帶有光柵模式和環(huán)狀孔徑的70nm鈦合金制作。薄膜與光刻膠直接接觸，沒(méi)有分隔層。為了聚集光刻膠的光強(qiáng)以實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度的納米級(jí)模式并吸收到達(dá)底片的光，在光刻膠和底片之間有一層80nm后的鈦合金保護(hù)物。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)中，孔徑數(shù)量和周期都是影響光刻結(jié)果的關(guān)鍵因素。周期為400nm的光柵可以相當(dāng)

23、好的轉(zhuǎn)移，并且在抗蝕層可以獲得35nm高的模式。然而，擁有單一孔徑模式不可以轉(zhuǎn)移到抗蝕層，這也預(yù)示了薄膜的表現(xiàn)主要取決于薄膜上孔徑的形狀和孔徑尺寸。</p><p>　　Zayats和Smolyaninov提出一項(xiàng)實(shí)現(xiàn)單一亞波長(zhǎng)孔徑高透射比的措施。他們闡述了與均勻單一介質(zhì)層金屬薄膜相比，由于被周期性結(jié)構(gòu)薄膜激發(fā)的光與等離子體的耦合，在多層金屬介質(zhì)上單一亞波長(zhǎng)孔徑中的光學(xué)傳播可以被明顯增強(qiáng)。</p>

24、<p>　　Fig. 2 AFM image of the exposure pattern. </p><p>　　圖2 曝光模式的AFM照片</p><p>　　與均勻薄膜上相同尺寸的孔徑相比，這項(xiàng)舉措把光學(xué)傳播增加了兩個(gè)數(shù)量級(jí)。此外，多層金屬薄膜傳統(tǒng)上可以通過(guò)成熟的薄膜積淀技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。這項(xiàng)措施可以應(yīng)用于光刻技術(shù)中而且可能導(dǎo)致一個(gè)更好的結(jié)果。光刻上的應(yīng)用將會(huì)在實(shí)驗(yàn)上不斷證明

25、。類似的，光子光刻原理使用了一個(gè)設(shè)計(jì)的可以產(chǎn)生亞波長(zhǎng)特征尺寸的多層金屬—電介質(zhì)薄膜。一般而言，光刻膠中的模式構(gòu)造原理與薄膜中一樣。然而，大量的實(shí)驗(yàn)證明可以實(shí)現(xiàn)更小的特征尺寸，比如，一個(gè)周期為400nm的光柵薄膜結(jié)構(gòu)，在光刻膠中可以構(gòu)造67nm的光柵結(jié)構(gòu)。</p><p>　　昂貴金屬中一系列孔徑的利用說(shuō)明了在表面等離子體的諧振激勵(lì)下的傳播增強(qiáng)，盡管空間分辨率某種程度上會(huì)因?yàn)橄盗锌讖降闹芷诙档?。最近的研究表明金?/p>

26、中陡峭脊?fàn)畹目讖饺绾Y(jié)孔徑或觸角形，C形，H形孔徑等等可能會(huì)實(shí)現(xiàn)一個(gè)更佳的結(jié)果。蝴蝶結(jié)狀天線形孔徑是一個(gè)重要的孔徑類型，最初由Grober et al.設(shè)計(jì)并被應(yīng)用于微波尺度的高傳播效率的近場(chǎng)光學(xué)探針。后來(lái)，因?yàn)榫钟虮砻娴入x子體的諧振，增強(qiáng)強(qiáng)度的高限制熱點(diǎn)在近場(chǎng)的蝴蝶結(jié)結(jié)構(gòu)可以被觀察到。由于蝴蝶結(jié)結(jié)構(gòu)而增強(qiáng)的透射比已經(jīng)被應(yīng)用到很多領(lǐng)域，例如等離子體波導(dǎo)的高效率激發(fā)等等，最近，這也成功作為一種新奇的手段而被應(yīng)用到納米光刻中以提高分辨率。

27、</p><p>　　蝴蝶結(jié)形孔徑與蝴蝶結(jié)形天線相對(duì)應(yīng)，如圖3所示。兩種結(jié)構(gòu)都由兩臂組成，兩個(gè)指向?qū)Ψ降匿h利的尖端間形成了一個(gè)小間隙。仿真結(jié)果暗示了在505nm級(jí)別的共振，在蝴蝶結(jié)尖端的相應(yīng)的場(chǎng)強(qiáng)是照射場(chǎng)的15000倍，這一點(diǎn)與蝴蝶結(jié)形天線相當(dāng)。但真實(shí)的表現(xiàn)很大程度上受孔徑尺寸，金屬材質(zhì)，波長(zhǎng)，極化等其它因素的影響。一個(gè)有蝴蝶結(jié)形狀孔徑的薄膜可被應(yīng)用于接觸式光刻中，并且已經(jīng)表現(xiàn)了良好的效果，Xu et al.最先

28、把蝴蝶結(jié)形孔徑應(yīng)用到等離子體接觸式光刻中，并且使用蝴蝶結(jié)形孔徑解決了特征尺寸低于50nm的二維孔問(wèn)題，帶有30nm間隙的150nm厚的鋁制薄膜的蝴蝶結(jié)形孔徑覆蓋在硅制基底上。鋁由于它的小的趨膚深度和高反射率而被選擇為薄膜材料。薄膜由355nm的半導(dǎo)體泵浦的固體激光器光束在垂直間隙方向極化。實(shí)驗(yàn)裝置如圖4所示。實(shí)驗(yàn)在等級(jí)為10的超凈間內(nèi)的手套箱內(nèi)進(jìn)行，以盡可能的降低污染并防止暴露在光刻膠中環(huán)境中光的影響。用一個(gè)3倍紫外物鏡，激光束聚焦到一

29、個(gè)薄膜層上直徑為110μm的光斑。激光的偏振光束被引導(dǎo)穿過(guò)蝶形孔的間隙。實(shí)驗(yàn)中使用了一個(gè)正性光致抗蝕劑（希普利S1805).由于孔徑的深度和尺寸直接受曝光時(shí)間的影響，</p><p>　　Fig. 3 Schematic of bowtie aperture (left) and antenna (right).</p><p>　　圖3 蝶形孔徑（左）和天線（右）原理圖</p&g

30、t;<p>　　Fig. 4 Schematic diagram of the experimental lithography system designed by Xu et al.</p><p>　　圖4 Xu et al.設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)光刻系統(tǒng)原理圖</p><p><b>　　總結(jié)</b></p><p>　　在這篇文章中

31、，我們回顧了三種類型的等離子體納米光刻技術(shù)：接觸式納米光刻，透鏡成像式納米光刻，和直寫式納米光刻。對(duì)于這三種納米光刻技術(shù)提供了一些實(shí)驗(yàn)和比較。通過(guò)上述分析，我們可以得出高分辨率是等離子體光刻的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。等離子體光刻產(chǎn)量低，模式接替等問(wèn)題則需要進(jìn)一步的研究，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)真正地納米工業(yè)化生產(chǎn)?？傊?，等離子體光刻是下一代納米光刻中最有發(fā)展前景的技術(shù)，并且有實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的潛力。</p><p><b>　　參考用

32、書</b></p><p>　　1. Vieu C, Carcenac F, Pépin A, Chen Y, Mejias M, Lebib A, Manin-</p><p>　　Ferlazzo L, Couraud L, Launois H (2000) Electron beam lithography:</p><p>　　reso

33、lution limits and applications. Appl Surf Sci 164:111–117</p><p>　　2. Chou SY, Krauss PR, Renstrom PJ (1995) Imprint of sub-25 nm</p><p>　　vias and trenches in polymers. Appl Phys Lett 67(21):31

34、14–3116</p><p>　　3. Kim K-H, Ke C, Moldovan N, Espinosa HD (2003) Proceedings</p><p>　　of the 4th International Symposium on MEMS and Nanotechnology,</p><p>　　the 2003 SEM Annual Co

35、nference and Exposition on</p><p>　　Experimental and Applied Mechanics, June 2–4, Charlotte,</p><p>　　North Carolina, Session 52. Paper 191:235–238</p><p>　　4. Wilson DL, Martin R,

36、Hong S, Cronin-Golomb M, Mirkin CA,</p><p>　　Kaplan DL (2001) Surface organization and nanopatterning of</p><p>　　collagen by dip-pen nanolithography. PNAS 98:13660–13664</p><p>　　5

37、. Cheng X, Guo LJ (2004) A combined-nanoimprint-andphotolithography</p><p>　　patterning technique. Microelectron Eng</p><p>　　71:277–282</p><p>　　6. Yablonovitch E, Vrijen RB (1999)

38、 Optical projection lithography</p><p>　　at half the Rayleigh resolution limit by two-photon exposure.</p><p>　　Opt Eng 38(2):334–338</p><p>　　7. Crisalle OD, Keifling SR, Seborg DE

39、, Mellichamp DA (1992) A</p><p>　　comparison of the optical projection simulators in SAMPLE and</p><p>　　PHOLITH. IEEE Trans Semicond Manuf 5:14–26</p><p>　　8. Chan SH, Wong AK, Lam

40、 EY (2008) Initialization for robust</p><p>　　inverse synthesis of phase-shifting masks in optical projection</p><p>　　lithography. Opt Express 16(19):14746–14760</p><p>　　9. Spille

41、 E, Feder R (1977) X-ray lithography. Top Appl Phys</p><p><b>　　22:35–92</b></p><p>　　10. Taylor JS, Sommargren GE, Sweeney DW, Hudyma RM (1998)</p><p>　　Fabrication and

42、 testing of optics for EUV projection lithography.</p><p>　　SPIE 3331:580–590</p><p>　　11. Menon R, Gil D, Smith HI (2006) Experimental characterization</p><p>　　of focusing by high

43、-numerical-aperture zone plates. J Opt Soc</p><p>　　Am A 23(3):567–571</p><p>　　12. Smith HI (1996) A proposal for maskless, zone-plate-array</p><p>　　nanolithography. J Vac Sci Tec

44、hnol B 14(6):4318–4322</p><p>　　13. Menon R, Patel A, Moon EE, Smith HI (2004) Alpha-prototype</p><p>　　system for zone-plate-array lithography. J Vac Sci Technol B 22</p><p>　　(6):

45、3032–3037</p><p>　　14. Smith HI, Menon R, Patel A, Chao D, Walsh M, Barbastathis G</p><p>　　(2006) Zone-plate-array lithography: a low-cost complement or</p><p>　　competitor to scan

46、ning-electron-beam lithography. Microelectron</p><p>　　Eng 83:956–961</p><p>　　15. Menon R, Walsh M, Galus M, Chao D, Patel A, Smith HI (2005)</p><p>　　Maskless lithography using di

47、ffractive-optical arrays, Frontiers</p><p>　　in Optics, Tucson, Arizona Methodologies of Optical Design III</p><p><b>　　(FWU).</b></p><p>　　16. Menon R, Patel A, Gil D,

48、Smith HI (2005) Maskless lithography,</p><p>　　Materials today ISSN:1369 7021, 26–33.</p><p>　　17. Yang L, Akhatov I, Mahinfalah M, Jang BZ (2007) Nanofabrication:</p><p>　　a review

49、. J Chin Inst Eng 30(3):441–446</p><p>　　18. Kuwahara M, Nakano T, Tominaga J, Lee MB, Atoda N (2000)</p><p>　　A new lithography technique using super-resolution near-field</p><p>　

50、　structure. Microelectron Eng 53:535–538</p><p>　　19. Goodberlet JG, Kavak H (2002) Patterning sub-50 nm features</p><p>　　with near-field embedded-amplitude masks. Appl Phys Lett 81</p>

51、<p>　　(7):1315–1317</p><p>　　20. Ito T, Ogino M, Yamada T, Inao Y, Yamaguchi T, Mizutani N,</p><p>　　Kuroda R (2005) Fabrication of sub-100 nm patterns using near-field</p><p>

52、　　mask lithography with ultra-thin resist process. J Photopolym Sci</p><p>　　Technol 18(3):435–441</p><p>　　21. Ito T, Yamada T, Inao Y, Yamaguchi T, Mizutani N, Kuroda R</p><p>　　(

53、2006) Fabrication of half-pitch 32 nm resist patterns using nearfield</p><p>　　lithography with a-Si mask. Appl Phys Lett 89:033113(1)–</p><p><b>　　03113(3)</b></p><p>　

54、　22. Inao Y, Nakasato S, Kuroda R, Ohtsu M (2007) Near-field</p><p>　　lithography as prototype nanofabrication tool. Microelectron Eng</p><p>　　84:705–710</p><p>　　23. Zhang YK, Don

55、g XC, Du JL, Wei XZ, Shi LF, Deng QL, Du CL</p><p>　　(2010) Nanolithography method by using localized surface</p><p>　　plasmon mask generated with polydimethylsiloxane soft method</p><

56、;p>　　on thin metal film. Opt Lett 35(13):2143–2145</p><p>　　24. Srituravanich W, Durant S, Lee H, Sun C, Zhang X (2005) Deep</p><p>　　subwavelength nanolithography using localized surface pla

57、smon</p><p>　　modes on planar silver mask. J Vac Sci Technol B 23(6):2636–2639</p><p>　　25. Hicks EM, Zhang XY, Zou SL, Lyandres O, Spears KG, Schatz</p><p>　　GC, Duyne RPV (2005) P

58、lasmonic properties of film over</p><p>　　nanowell surface fabricated by nanospheres lithography. J Phys</p><p>　　Chem B 109:22351–22358</p><p>　　26. Degiron A, Ebbesen TW (2005) Th

59、e role of localized surface</p><p>　　plasmon modes in the enhanced transmission of periodic</p><p>　　subwavelength apertures. J Opt A Pure Appl Opt 7:90–96</p><p>　　27. Alkaisi MM,

60、Blaikie RJ, McNab SJ (2001) Nanolithography in</p><p>　　the evanescent near field. Adv Mater 13(12–13):877–887</p><p>　　28. Srituravanich W, Fang N, Sun C, Luo Q, Zhang X (2004)</p><p

61、>　　Plasmonic nanolithography. Nano Lett 4(6):1085–1088</p><p>　　29. Srituravanich W, Fang N, Durant S, Ambati M, Sun C, Zhang X</p><p>　　(2004) Sub-100 nm lithography using ultrashort wavelen

62、gth of</p><p>　　surface plasmons. J Vac Sci Technol B 22(6):3475–3478</p><p>　　30. Shao DB, Chen SC (2008) Surface plasmon assisted contact</p><p>　　scheme nanoscale photolithograph

63、y using an UV lamp. J Vac Sci</p><p>　　Technol B 26(1):227–231</p><p>　　31. Zayats AV, Smolyaninov II (2006) High-optical-throughput</p><p>　　individual nanoscale aperture in a mult

64、ilayered metallic film.</p><p>　　Opt Lett 31(3):398–400</p><p>　　32. Xiong Y, Liu ZW, Zhang X (2008) Projecting deepsubwavelength</p><p>　　patterns from diffraction-limited masks us

65、ing</p><p>　　metal-dielectric multilayers. Appl Phys Lett 93:111116(1)–</p><p><b>　　111116(3)</b></p><p>　　33. Xu X, Jin EX, Uppuluri SM, Wang L (2007) Concentrating lig

66、ht</p><p>　　into nanometer domain using nanoscale ridge apertures and its</p><p>　　application in laser-based nanomanufacturing. J Phys Conf Ser</p><p>　　59:273–278</p><p

67、>　　34. Grober RD, Schoelkopf RJ, Prober DE (1997) Optical antenna:</p><p>　　towards a unity efficiency near-field optical probe. Appl Phys</p><p>　　Lett 70(11):1354–1356</p><p>　

68、　35. Kinzel EC, Xu X (2009) High efficiency excitation of plasmonic</p><p>　　waveguides with vertically integrated resonant bowtie apertures.</p><p>　　Opt Express 17(10):8036–8045</p><

69、;p>　　36. Kim S, Jin J, Kim Y-J, Park I-Y, Kim Y, Kim S-W (2008) Highharmonic</p><p>　　generation by resonant plasmon field enhancement.</p><p>　　Nature 435:757–760</p><p>　　37. J

70、in EX, Xu X (2005) Obtaining super resolution light spot using</p><p>　　surface plasmon assisted sharp ridge nanoaperture. Appl Phys</p><p>　　Lett 86:111106(1)–111106(3)</p><p>　　38

71、. Wang L, Uppuluri SM, Jin EX, Xu XF (2006) Nanolithography</p><p>　　using high transmission nanoscale bowtie apertures. Nano Lett 6</p><p>　　(3):361–364</p><p>　　39. Ueno K, Takaba

72、take S, Nishijima Y, Mizeikis V, Yokota Y,</p><p>　　Misawa H (2010) Nanogap-assisted surface plasmon nanolithography.</p><p>　　J Phys Chem Lett 1:657–662</p><p>　　40. M-H Wu, Whites

73、ides GM (2001) Fabrication of arrays of twodimensional</p><p>　　micropatterns using microsphere as lenses for</p><p>　　projection photolithography. Appl Phys Lett 78(16):2273–2275</p><

74、;p>　　41. Sathiyamoorthy K, Sidharthan R, Sreekanth KV, Murukeshan</p><p>　　VM (2010) Dye assisted enhanced transmission in near field</p><p>　　optical lithography. Opt Commun 283:5245–5249<

75、;/p><p>　　42. Kik PG, Martin AL, Maier SA, Atwater HA (2002) Metal</p><p>　　nanoparticle arrays for near field optical lithography. Proc SPIE</p><p><b>　　4810:7–13</b></

76、p><p>　　43. Pendry JB (2000) Negative refraction makes a perfect lens. Phys</p><p>　　Rev Lett 85(18):3966–3969</p><p>　　44. Zhang X, Liu ZW (2008) Superlens to overcome the diffraction

77、</p><p>　　limit. Nat Mater 7:435–441</p><p>　　45. Chatterjee R, Panoiu NC, Liu K, Dios Z, Yu MB, Doan MT,</p><p>　　Kaufman LJ, Osgood RM, Wong CW (2008) Achieving subdiffraction<

78、/p><p>　　imaging through bound surface states in negativerefracting</p><p>　　photonics crystals at the near-infrared, American</p><p>　　Physical Society March Meeting paper D35.00003.&

79、lt;/p><p>　　46. Shvets G (2003) Photonic approach to making a material with a</p><p>　　negative index of refraction. Phys Rev B 67:035109(1)–035109(8)</p><p>　　47. Shalaev VM (2007) Op

80、tical negative-index metamaterials. Nat</p><p>　　Photonics 1:41–48</p><p>　　48. Jaksic Z, Vasiljevic-Radovic D, Maksimovic M, Sarajlic M,</p><p>　　Vujanic A, Djuric Z (2006) Nanofab

81、rication of negative</p><p>　　refractive index metasurfaces. Microelectron Eng 83:1786–1791</p><p>　　49. Aydin K, Bulu I, Ozbay E (2007) Subwavelength resolution with</p><p>　　a neg

82、ative-index metamaterial superlens. Appl Phys Lett</p><p>　　90:254102(1)–254102(3)</p><p>　　50. Ma CB, Liu ZW (2010) Focusing light into deep subwavelength</p><p>　　using metamateri

83、al immersion lenses. Opt Express 18</p><p>　　(5):4838–4844</p><p>　　51. Tamma VA, Joshi S, Park W (2010) Optical frequency negativeindex</p><p>　　material based on silver nanocluste

84、r metamaterial, photonic</p><p>　　metamaterials and plasmonics. Metamaterials III.</p><p>　　52. Korobkin D, Urzhumov Y, Shvets G (2006) Enhanced near-field</p><p>　　resolution in mi

85、dinfrared using metamaterials. J Opt Soc Am B</p><p>　　23(3):468–478</p><p>　　53. Fu YQ, Zhou XL (2010) Plasmonic lenses: a review. Plasmonics</p><p><b>　　5:287–310</b>&

86、lt;/p><p>　　54. Fang N, Liu ZW, Yen T-J, Zhang X (2003) Opt Express 11</p><p>　　(7):682–687</p><p>　　55. Yang XF, Liu Y, Ma JX, Cui JH, Xing H, Wang W, Wang CB,</p><p>　　L

87、uo XG (2008) Broadband super-resolution imaging by a</p><p>　　superlens with unmatched dielectric medium. Opt Express 16</p><p>　　(24):19686–19694</p><p>　　56. Cai WS, Genov DA, Sha

88、laev VM (2005) A superlens based on</p><p>　　metal-dielectric composites. Phys Rev B 72:193101(1)–193101</p><p><b>　　(15)</b></p><p>　　57. Liu ZW, Fang N, Yen T-J, Zhang

89、 X (2003) Rapid growth of</p><p>　　evanescent wave by a silver superlens. Appl Phys Lett 83</p><p>　　(25):5184–5186</p><p>　　58. Anantha Ramakrishna S, Pendry JB (2003) Removal of&l

90、t;/p><p>　　absorption and increase in resolution in a near-field lens via</p><p>　　optical gain. Phys Rev B 67:201101(1)–201101(4)</p><p>　　59. Melville DOS, Blaikie RJ, Wolf CR (2004)

91、 Submicron imaging</p><p>　　with a planar silver lens. Appl Phys Lett 84(22):4403–4405</p><p>　　60. Melville DOS, Blaikie RJ (2005) Super-resolution imaging</p><p>　　through a plana

92、r silver layer. Opt Express 13(6):2127–2134</p><p>　　61. Blaikie RJ, Melville DOS, Alkaisi MM (2006) Super-resolution</p><p>　　near-field lithography using planar silver lenses: a review of</

93、p><p>　　recent developments. Microelectron Eng 83:723–729</p><p>　　62. Moore CP, Arnold MD, Bones PJ, Blaikie RJ (2008) Image</p><p>　　fidelity for single-layer and multi-layer silver

94、superlenses. J Opt</p><p>　　Soc Am A 25(4):911–918</p><p>　　63. Fang N, Lee H, Sun C, Zhang X (2005) Sub-diffraction-limited</p><p>　　optical imaging with a silver superlens. Scienc

95、e 308:534–537</p><p>　　64. Lee H, Xiong Y, Fang N, Srituravanich W, Durant S, Ambati M,</p><p>　　Sun C, Zhang X (2005) Realization of optical superlens imaging</p><p>　　below the di

96、ffraction limit. New J Phys 7(255):1–16</p><p>　　65. Chaturvedi P, Wu W, Logeeswaran VJ, Yu ZN, Saif Islam M,</p><p>　　Wang SY, Williams RS, Fang NX (2010) A smooth optical</p><p>　

97、　superlens. Appl Phys Lett 96:043102(1)–043102(3)</p><p>　　66. Shi Z, Kochergin V, Wang F (2009) 193 nm Superlens imaging</p><p>　　structure for 20 nm lithography node. Opt Express 17</p>

98、<p>　　(14):11309–11314</p><p>　　67. Shi Z, Kochergin V, Wang F (2009) Depth-of-focus(DoF)</p><p>　　analysis of a 193 nm superlens imaging structure. Opt Express</p><p>　　17(22

99、):20538–20545</p><p>　　68. Xu T, Fang L, Ma J, Zeng B, Liu Y, Cui J, Wang C, Feng Q, Luo</p><p>　　X (2009) Localizing surface plasmons with a metal-cladding</p><p>　　superlens for p

100、rojecting deep-subwavelength patterns. Appl Phys</p><p>　　B 97:175–179</p><p>　　69. Liu ZW, Durant S, Lee H, Pikus Y, Xiong Y, Sun C, Zhang X</p><p>　　(2007) Experimental studies of

101、 far-field superlens for subdiffraction</p><p>　　optical imaging. Opt Express 15(11):6947–6954</p><p>　　70. Liu ZW, Durant S, Lee H, Pikus Y, Fang N, Xiong Y, Sun C, Zhang</p><p>　　

102、X (2007) Far-field optical superlens. Nano Lett 7(2):403–408</p><p>　　71. Milster T, Chen T, Nam D, Schlesinger E (2004) Maskless</p><p>　　lithography with solid immersion lens nano probes. Proc

103、 SPIE</p><p>　　5567:545–556</p><p>　　72. Bae JH, Ono T, Esashi M (2003) Scanning probe with an</p><p>　　integrated diamond heater element for nanolithography. Appl</p><p&

104、gt;　　Phys Lett 82(5):814–816</p><p>　　73. Eckert R, Freyland JM, Gersen H, Heinzelmann H, Schürmann G,</p><p>　　Noell W, Staufer U, de Rooij NF (2000) Near-field fluorescence</p><

105、;p>　　imaging with 32 nmresolution based on microfabricated cantilevered</p><p>　　probes. Appl Phys Lett 77(23):3695–3697</p><p>　　74. Hamada M, Eguchi T, Akiyama K, Hasegawa Y (2008)</p>

106、;<p>　　Nanoscale lithography with frequency-modulation atomic</p><p>　　force microscopy. Rev Sci Instrum 79:123706(1)–123706(4)</p><p>　　75. Tian F, YangGG, Bai J, Zhou QF, Hou CL, Xu JF,

107、 Liang YY(2010)</p><p>　　Subwavelength-resolution direct writing using submicron-diameter</p><p>　　fibers. Chin Opt Lett 8(3):326–328</p><p>　　76. Tian F, Yang GG, Bai J, Xu JF, Hou

108、 CL, Liang YY, Wang KW</p><p>　　(2009) Laser direct writing using submicron-diameter fibers. Opt</p><p>　　Express 17(22):19960–19968</p><p>　　77. Ryu KS, Wang XF, Shaikh K, Bullen D

109、, Goluch E, Zou J, Liu C,</p><p>　　Mirkin CA (2004) Integrated microfluidic linking chip for</p><p>　　scanning probe nanolithography. Appl Phys Lett 85(1):136–138</p><p>　　78. Kim K

110、-H, Moldovan N, Ke C, Espinosa HD, Xiao XC, Carlisle</p><p>　　JA, Auciello O (2005) Novel ultrananocrystalline diamond</p><p>　　probes for high-resolution low-wear nanolithographic techniques.&l