MOSFET探測(cè)器測(cè)量組織補(bǔ)償膠對(duì)表面劑量的影響.pdf

1、目的：使用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管探測(cè)器(MOSFET)測(cè)量表面劑量，探討X射線、電子線照射時(shí)不同厚度組織補(bǔ)償膠對(duì)表面劑量的影響，為臨床放療提供劑量學(xué)實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
　　 方法：1.將MOSFET 探測(cè)器進(jìn)行劑量刻度，計(jì)算出探頭的校準(zhǔn)因子。2.實(shí)驗(yàn)分為六組，選用6MV、15MV X射線進(jìn)行照射，未加組織補(bǔ)償膠為0組，加上組織補(bǔ)償膠后按厚度從小到大（3mm,5mm,10mm,15mm,20mm）依次記為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ和Ⅴ組，MOS

2、FET 探測(cè)器的探頭置于體模表面，Ⅰ～Ⅴ組將組織補(bǔ)償膠敷貼于體模表面照射，0組直接照射。照射條件：源皮距為100cm，射野大小10cm×10cm，加速器輸出100MU，對(duì)應(yīng)劑量100cGy。MOSFET 探測(cè)器測(cè)量各組劑量，每組測(cè)10次。3.選用6MeV、9MeV、12MeV 電子線進(jìn)行照射，方法同2。
　　 結(jié)果：1.6MV X射線照射時(shí)測(cè)得探頭的校準(zhǔn)因子平均值為3.88mV/cGy，由于同一探頭對(duì)各能量X射線、電子線有較好的

3、能量響應(yīng)性，15MV X射線與電子線照射時(shí)探頭的校準(zhǔn)因子亦取3.88mV/cGy。2.X射線照射時(shí)，加上補(bǔ)償膠后表面劑量明顯高于未加補(bǔ)償膠的表面劑量，6MV、15MV X射線最高分別增加109％和224％，且各個(gè)補(bǔ)償膠組與未加補(bǔ)償膠組測(cè)得的數(shù)據(jù)比較差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.01)，隨著補(bǔ)償膠厚度的增加，表面劑量增加的百分比依次增加；不同厚度補(bǔ)償膠組數(shù)據(jù)兩兩之間比較差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.01)。3.電子線照射時(shí)，加上補(bǔ)償膠后表面劑量高

4、于未加補(bǔ)償膠的表面劑量，6MeV、9MeV,12MeV 電子線最高分別增加32.9％,24.9％和19.7％，且各個(gè)補(bǔ)償膠組與未加補(bǔ)償膠組測(cè)得的數(shù)據(jù)比較差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.01)，隨著補(bǔ)償膠厚度的增加，表面劑量增加的百分比先增加后降低；不同厚度補(bǔ)償膠組數(shù)據(jù)兩兩之間比較差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.01)。
　　 結(jié)論：X射線和電子線照射時(shí)，加上補(bǔ)償膠后表面劑量均增加；各種厚度的補(bǔ)償膠對(duì)表面劑量的影響不一，補(bǔ)償膠對(duì)表面劑量的增加