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1、 為了研究Cu/SiO2/Si體系中Cu和Si的互擴(kuò)散、界面反應(yīng)、金屬硅化物的形成及其性質(zhì)和熱力學(xué)穩(wěn)定性；也為了給本課題組國家自然科學(xué)基金項目一“銅團(tuán)簇束與硅作用成膜銅在硅中的擴(kuò)散效應(yīng)”提供可對比的數(shù)據(jù)，筆者進(jìn)行了以下的工作： 室溫下，利用磁控濺射在P型Si(111)襯底上沉積了銅膜。本工作得到了以下幾個有意義的結(jié)果：對于Cu/SiO2/Si(111)體系，當(dāng)退火溫度高于450℃時，才產(chǎn)生明顯的擴(kuò)散。隨著溫度的升高，擴(kuò)散越明
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