SiCp-A357復(fù)合材料及低壓鑄造工藝研究.pdf

1、本文通過(guò)對(duì)半固態(tài)攪拌法制備SiC顆粒增強(qiáng)A357復(fù)合材料的研究，確定了優(yōu)化的制備工藝：基體合金溫度為585-590℃；攪拌前將SiC顆粒在600℃預(yù)熱1h，降溫至200℃左右加入基體合金中；SiC顆粒加入過(guò)程中攪拌速度為300r/min，在后續(xù)的攪拌過(guò)程中降為200r/min；顆粒加入速度為40g/min；加完SiC后繼續(xù)攪拌30min。利用優(yōu)化的工藝制備出了顆粒分布均勻、界面結(jié)合良好的SiCp/A357復(fù)合材料。組織觀察表明，在SiC

2、p/A357界面上沒(méi)有發(fā)現(xiàn)有害界面反應(yīng)生成的Al4C3，只存在以SiC作為襯底進(jìn)行非均質(zhì)形核的Si，說(shuō)明在本實(shí)驗(yàn)條件下界面反應(yīng)得到了很好的抑制。采用半固態(tài)攪拌法制備的SiCp/A357復(fù)合材料中主要缺陷有顆粒團(tuán)聚、氣孔、晶界偏析。
　　對(duì)SiCp/A357復(fù)合材料的重熔處理進(jìn)行了研究，其結(jié)果表明，SiCp/A357復(fù)合材料重熔溫度應(yīng)控制在750℃以下，重熔靜置時(shí)間控制在1.5h以內(nèi)，采用分段式抽真空法對(duì)SiCp/A357復(fù)合材料進(jìn)

3、行精煉，既可以避免引起SiC顆粒的脫出，又具有良好的除氣效果。同時(shí)，在澆注前應(yīng)對(duì)復(fù)合熔體進(jìn)行攪拌，以消除SiC的宏觀偏析。
　　對(duì)SiCp/A357復(fù)合材料進(jìn)行了充型性能以及低壓鑄造成形研究，其結(jié)果表明：當(dāng)SiC含量一定時(shí)，隨著澆注溫度的提高，SiCp/A357復(fù)合材料的流動(dòng)性提高；在相同澆注溫度下，隨SiC體積含量的增加，SiCp/A357復(fù)合材料的流動(dòng)性明顯降低。采用低壓鑄造制備的SiCp/A357復(fù)合材料板件中，SiC顆粒的