鋁金屬化工藝Ti-TiN-Ti-Al-TiN結(jié)構(gòu)肖特基接觸與應(yīng)力狀況的研究.pdf

1、集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展,使得金屬化工藝向著結(jié)構(gòu)多層次化發(fā)展,根據(jù)上海先進(jìn)半導(dǎo)體公司的生產(chǎn)實(shí)踐,該文基于Ti/TiN/Ti/Al/TiN的亞微米金屬化結(jié)構(gòu),主要研究了硅化物的肖特基接觸和金屬化的應(yīng)力狀況.基于TiSi<,2>低電阻率的優(yōu)點(diǎn),采用Ti制作肖特基二極管.在VLSI工藝中實(shí)現(xiàn)同時(shí)完成鈦硅化物歐姆接觸和肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的制作.文中用AES等技術(shù)研究不同退火工藝形成的Ti/Si界面形態(tài)和結(jié)構(gòu),尋找完善的工藝設(shè)計(jì)和退火條件.

2、此外還測(cè)量TiN/Al/TiN/Ti/Si結(jié)構(gòu)的金屬硅化物SBD的有關(guān)特性.通過(guò)工藝實(shí)驗(yàn)確定VLSI中的鈦硅化物最佳的制作工藝條件.VLSI的金屬化中,應(yīng)力引起的失效是個(gè)引人關(guān)注的問(wèn)題,應(yīng)力釋放形成空洞嚴(yán)重影響器件的可靠性.作為擴(kuò)散阻擋層的TiN,對(duì)鋁金屬層的應(yīng)力產(chǎn)生很大的影響,其熱應(yīng)力行為的研究是一個(gè)重要課題,通過(guò)硅片曲度測(cè)量法、Raman光譜法,XRD法對(duì)TiN薄膜的應(yīng)力進(jìn)行了測(cè)量監(jiān)控.工藝實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)Ti/TiN/Ti/Al/TiN