高性能磁控濺射靶槍的設(shè)計(jì).pdf

1、自從20世紀(jì)70年代早期磁控濺射技術(shù)誕生以來(lái),磁控濺射技術(shù)在高速率沉積金屬、半導(dǎo)體和介質(zhì)薄膜方面已取得了巨大的進(jìn)步。在磁控濺射生產(chǎn)過(guò)程中特別關(guān)注靶材利用率、沉積速率以及濺射過(guò)程穩(wěn)定性等方面的問(wèn)題,解決這些問(wèn)題根本在于整個(gè)系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì),而靶的設(shè)計(jì)則是其中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。國(guó)外在靶的分析和設(shè)計(jì)方面優(yōu)勢(shì)明顯,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)專業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化；國(guó)內(nèi)針對(duì)該方面的研究還比較少,企業(yè)也基本處于購(gòu)買和仿制階段,因此對(duì)于相關(guān)問(wèn)題的研究將具有重要的學(xué)術(shù)和實(shí)踐價(jià)值。本文主

2、要討論以下幾個(gè)方面的問(wèn)題： 1.研究現(xiàn)有的磁控濺射鍍膜的相關(guān)理論和實(shí)驗(yàn)中經(jīng)常遇到的問(wèn)題,討論了靶材刻蝕不均勻、薄膜沉積速率較低和均勻性不好等問(wèn)題,提出了相應(yīng)的解決思路和方法,即可根據(jù)電磁場(chǎng)的分布來(lái)判斷設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)是否合理。 2.通過(guò)磁場(chǎng)的有限元模擬,系統(tǒng)分析了磁軛、內(nèi)外磁極高度差、導(dǎo)磁片等結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及參數(shù)設(shè)置對(duì)靶面磁場(chǎng)分布的影響。根據(jù)模擬結(jié)果,有針對(duì)性的調(diào)節(jié)各個(gè)結(jié)構(gòu)參數(shù),從不同角度優(yōu)化靶面磁場(chǎng)分布,最終通過(guò)調(diào)整導(dǎo)磁片和內(nèi)外磁極