陰極真空電弧技術(shù)制備氮化鋯、氧化鋯薄膜的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文主要研究應(yīng)用陰極真空電弧沉積技術(shù)在硅片上沉積納米晶氮化鋯、在硅片和石英玻璃上沉積氧化鋯薄膜。在研究中，主要探討分別改變反應(yīng)氣體流量和基底偏壓對氮化鈦、氮化鋯薄膜的組成、結(jié)構(gòu)及性質(zhì)的影響。以X光繞射法來決定薄膜的晶粒大小，其結(jié)果小于15nm。從AFM和SEM的結(jié)果也顯示出沉積制備出的薄膜為納米晶薄膜。氮化鋯中N/Zr比率隨氮?dú)饬髁繌?.6改變至0.9，氧化鋯中O/Zr比率隨氧氣流量改變,隨著氧氣流量的增加其O/Zr的值逐漸增大，氧氣流

2、量為50sccm時沉積得到的二氧化鋯薄膜中O/Zr的值大約為1.98/1。氮化鋯薄膜以(111)為主要的優(yōu)選方向，改變氣體流量對其硬度改變不大，而偏壓的改變對其硬度的影響較大，對于氧化鋯薄膜氣體流量對其成分影響較大，分析表明成分是影響氧化鋯薄膜的主要因素。通過SEM能譜分析，無論是氮化鋯還是氧化鋯薄膜，偏壓對其成分影響甚微，反應(yīng)氣體流量是薄膜成分的主要影響因素，對所制備氮化鋯薄膜氮?dú)饬髁慷嗌僦苯拥挠绊懥薢rN薄膜中N/Zr比率的大小、Z

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