IGBT串聯(lián)模塊化的研究.pdf

1、隨著電力系統(tǒng)等高壓大功率應(yīng)用場合對電力電子技術(shù)需求日益增加,電力電子變流器所處理的電壓和電流容量急劇上升,大功率變流器對于功率器件的電壓等級需求不斷提高。盡管功率半導體器件技術(shù)的快速發(fā)展,讓全控型高壓器件的制作成為了可能,但目前的技術(shù)仍難以滿足實際應(yīng)用的需求。當單個器件本身無法滿足應(yīng)用的需要時,將功率器件串聯(lián)使用,是現(xiàn)在應(yīng)對高電壓應(yīng)用的一個重要方向。
　　 IGBT器件作為新型全控器件的代表,具有優(yōu)于其他電力電子器件的性能,論文

2、重點研究IGBT芯片串聯(lián)模塊化相關(guān)問題。
　　 論文首先介紹了IGBT功率模塊的封裝結(jié)構(gòu)及設(shè)計要求,并利用計算機仿真對IGBT模塊的熱學及電氣特性進行了研究?；仡櫫薎GBT串聯(lián)技術(shù)的研究現(xiàn)狀,對串聯(lián)均壓技術(shù)進行了分析和討論,提出了在標準模塊封裝內(nèi)部進行IGBT芯片級串聯(lián)的目標,并選擇了門極有源鉗位的方案作為串聯(lián)模塊化的均壓策略。
　　 在此基礎(chǔ)上,設(shè)計并制作出了3300V串聯(lián)IGBT模塊樣品,為了測試串聯(lián)模塊的性能,搭建