薄膜溫差電材料的制備、表征及溫差電性能測(cè)試系統(tǒng)的建立.pdf_第1頁
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1、本課題的主要研究?jī)?nèi)容包括：電沉積法制備Bi2-xTe3+x和(Bi1-xSbx)2Te3薄膜溫差電材料，為BiTe基材料溫差電性能的改進(jìn)提供了一條新的探索途徑。其次開發(fā)建立了溫差電性能測(cè)試系統(tǒng)。該系統(tǒng)成功對(duì)納米線陣列、薄膜溫差電材料和塊狀溫差電的性能進(jìn)行測(cè)試。 研究了N型Bi2-xTe3+x薄膜材料的Bi-Te共沉積機(jī)理、沉積電位對(duì)薄膜材料性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在-0.03V電位下電沉積制備的Bi2-xTe3+x的塞貝克系數(shù)達(dá)

2、到最佳值。通過ESEM、XRD、EDS對(duì)電沉積制備的薄膜材料的形貌、結(jié)構(gòu)和組成進(jìn)行分析。溫差電性能測(cè)試分析表明，Bi2-xTe3+x薄膜材料具有半導(dǎo)體特性，塞貝克系數(shù)不隨溫度變化。 研究了P型(Bi1-xSbx)2Te3薄膜材料的Bi-Te-Sb共沉積機(jī)理，對(duì)溫度和沉積電位等因素進(jìn)行研究，確定最佳沉積條件。結(jié)合溫差電性能測(cè)試，通過ESEM，XRD，XPS，EDS對(duì)薄膜溫差電材料的形貌、結(jié)構(gòu)和成分的分析，表明三元摻雜的(Bi1-x

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