銀、氧化銅-二氧化硅納米復合薄膜的制備、結構和光吸收性能研究.pdf

1、　　眾所周知，根據(jù)需要設計新的納米材料體系，特別是納米復合體系的設計和研究，已成為當前納米科學技術和凝聚態(tài)物理研究的前沿和熱點，這方面的研究更強調(diào)按人們的意愿設計新的體系，更有目的地使該體系具有人們所希望的特性，因此，納米復合體系越來越受到人們的關注，在這其中，納米復合薄膜是一類具有廣泛應用前景的納米復合材料，由于納米粒子的性能、工藝條件等參量的變化都對納米復合薄膜的性能有著顯著的影響，因此，可以在較多的條件下實現(xiàn)對其功能特性的調(diào)制。

2、　　本文以溶膠凝膠法制備銀、氧化銅/二氧化硅納米復合薄膜，采用X射線衍射儀對樣品的相組成進行分析，比表面及孔隙分析儀表征介孔SiO2基體以及復合樣品的的孔結構與孔徑分布，掃描電子顯微鏡觀察薄膜的表面形態(tài)，紫外-近紅外光譜儀進行復合體系的光吸收測試，透射電子顯微鏡觀察樣品的組織形貌。針對溶膠凝膠法制備納米復合薄膜的影響因素做了詳細而全面的討論，系統(tǒng)地研究了各種因素對薄膜成膜質(zhì)量和溶膠穩(wěn)定性的影響，確定了每種因素對獲得理想結果的重要程度及每

3、種因素的最佳取值范圍，并給出了優(yōu)選方案和推薦最優(yōu)方案。對于銀/二氧化硅樣品，隨著處理溫度的升高和銀含量的增加，金屬銀顆粒尺寸逐漸增大，其等離子共振吸收峰強度升高，峰位向低能方向有明顯紅移，吸收峰的半高寬變窄，樣品的帶邊吸收隨著復合體系銀含量的增加和處理溫度的上升也會發(fā)生紅移。對于氧化銅/二氧化硅樣品，0.05CuO/SiO2在300℃，400℃，500℃處理后的光吸收譜的吸收邊，其光吸收數(shù)值可以用間接帶隙半導體光吸收邊公式來很好的擬合，