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文檔簡介
1、碳化硅陶瓷具有高溫強度高、抗氧化性強、耐磨損性好、熱膨脹系數(shù)小、硬度高、抗熱震和耐化學腐蝕等優(yōu)良特性,因此,在很多領域得到廣泛應用[1]。然而,SiC是一種共價鍵性很強的化合物,其自擴散系數(shù)極小,可燒結性很差。在傳統(tǒng)的粉末冶金SiC燒結工藝條件下,如果不加入適當?shù)奶砑觿?,純SiC是很難燒結致密化。采用超高壓燒結方法可以在較低溫度、較短時間、低燒結助劑添加量下獲得高致密度、高性能的陶瓷,因此,本文試圖通過采用超高壓燒結技術,并通過調節(jié)燒結
2、工藝制備SiC陶瓷,并開展了燒結工藝對性能、微觀組織的影響研究。
本文以納米碳化硅為主要原料,采用兩面頂壓機獲得超高壓條件,通過調節(jié)燒結工藝、燒結助劑添加量,燒結制備了納米晶SiC陶瓷。采用X射線衍射(X-Ray Diffration,XRD)、X光電子能譜(X-Photoelectron Spectrum,XPS)、掃描電子顯微鏡(ScanningElectron Microscope,SEM)、排水法、顯微硬度儀等測試手段
3、對陶瓷的相組成、化學成分、顯微結構、密度、顯微硬度等進行分析。
實驗結果表明:采用超高壓燒結法可以燒結獲得SiC陶瓷。對陶瓷的相組成的分析表明,燒結后陶瓷無相轉變,仍以β-SiC為主;對于Al2O3燒結助劑添加的陶瓷有新相Al2SiO5形成,Al2SiO5的生成有利于燒結的進行;采用謝樂公式及Jade5.0分別計算了陶瓷的晶粒尺寸及品格常數(shù),發(fā)現(xiàn)超高壓燒結的陶瓷晶粒長大不明顯,為納米晶陶瓷(20~40nm);由于超高壓燒結后殘
4、余應力的存在SiC的品格發(fā)生了收縮(約0.3%~0.45%)。對陶瓷的顯微結構分析表明,燒結的陶瓷致密無氣孔,呈典型的固相燒結形貌;添加燒結助劑的陶瓷中存在細小富Al2O3區(qū),燒結助劑存在一定的分散不均勻性。
對陶瓷的化學成分分析表明,超高壓燒結時陶瓷素坯吸附的N2、O2等參與了反應,分別生成SiO2和Si3N4,反應的發(fā)生起到消除氣孔的作用,有利于燒結的進行。
對制備的陶瓷密度及顯微硬度分析表明,采用超高壓燒結工藝
5、可以燒結獲得無燒結助劑添加的高硬度高致密度SiC陶瓷(致密度92%~100%,顯微硬度2800Hv1.96~4000Hv1.96),燒結工藝對陶瓷致密度及顯微硬度影響明顯,隨溫度、壓力、保溫時間的延長陶瓷的密度及顯微硬度都有所提高;結果表明,Al2O3是SiC燒結的有效燒結助劑,在低添加量下(約2wt%)即可實現(xiàn)陶瓷的全致密燒結,陶瓷硬度隨燒結助劑含量增加而提高;燒結工藝對添加了燒結助劑陶瓷性能的影響與純SiC的燒結類似,但獲得的陶瓷的
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