器件的熱阻和溫度的分析.pdf

1、近年來，AlGaN/GaN高速電子遷移率晶體管(HEMT)由于其優(yōu)異的性能，已經(jīng)引起了人們很多的關(guān)注，它具有較高的頻率特性，可以輸出較高的微波功率，因此廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通訊基站、微波存取全球互通領(lǐng)域以及其他無(wú)線設(shè)備，如無(wú)線固定接入系統(tǒng)、本地?zé)o線環(huán)路系統(tǒng)、本地多點(diǎn)分布系統(tǒng)等。
　　 但與此同時(shí)，越來越高的芯片性能和集成度也帶來了一個(gè)不可回避的問題，這就是散熱。根據(jù)源自一份美國(guó)航空電子的失效分析統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，近55％的電子器件失效是和溫度

2、相關(guān)，由此可見熱控制的重要性。
　　 因此本文的主要目的就是通過利用計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬來分析影響GaN HEMT器件散熱的主要因素。通過建立一個(gè)簡(jiǎn)化了的多指柵器件模型，對(duì)包括GaN的厚度、柵長(zhǎng)、柵寬、襯底的材質(zhì)和厚度等因素進(jìn)行了多方面的考量，從而得到其對(duì)熱阻和溫度兩方面的影響。我們還對(duì)該模型的有效性與一些實(shí)際的測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行了比較，得到了非常接近的結(jié)果。
　　 我們還對(duì)器件熱阻和溫度會(huì)隨著以上因素進(jìn)行變化的原因進(jìn)行了一些分析和