半橋驅(qū)動(dòng)電路子模塊的分析與設(shè)計(jì).pdf

1、功率集成電路大致可分為兩類。一類是智能功率集成電路(Smart Power IC)，另一類是高壓集成電路(High Voltage IC)。高壓集成電路是高壓電子器件與起控制作用的傳統(tǒng)邏輯電路或模擬電路的單片集成。功率集成電路已經(jīng)在馬達(dá)控制、電子鎮(zhèn)流器、汽車電子、平板顯示、開關(guān)電源等領(lǐng)域得到了應(yīng)用，預(yù)計(jì)將是發(fā)展最快、最受歡迎的功率半導(dǎo)體器件。 本文分析和設(shè)計(jì)了一種高壓高速、適于功率MOSFET和IGBT的半橋驅(qū)動(dòng)集成電路。根據(jù)應(yīng)

2、用要求進(jìn)行了電路的總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，完成了施密特觸發(fā)器、死區(qū)時(shí)間控制、欠壓鎖存、高低端驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出、脈沖產(chǎn)生電路、高電位平移、脈沖濾波器、RS觸發(fā)器等模塊電路的分析和設(shè)計(jì)。在完成原理分析與電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，應(yīng)用Spectre仿真工具對(duì)各個(gè)電路模塊進(jìn)行了仿真。 由于該驅(qū)動(dòng)電路中耐高壓器件的特殊性，本文介紹了LDMOS中經(jīng)常使用到的結(jié)終端技術(shù)和隔離技術(shù)，初步設(shè)計(jì)了適用于本電路的LDMOS，并對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行了討論。 以標(biāo)準(zhǔn)的P阱CM