波狀基區(qū)A-GCT的工藝研究.pdf

1、波狀基區(qū)A-GCT是在傳統(tǒng)的門板換流晶閘管(GCT)的基礎上,引入波狀p基區(qū)形成的新型大功率半導體器件。與傳統(tǒng)的GCT相比,波狀基區(qū)A-GCT能夠大大地提高A-CrCT的功率容量,增大安全工作區(qū),提高可靠性。因此,對波狀基區(qū)A-GCT工藝的研究具有重要意義。
　　本文以4.5kV波狀基區(qū)A-GCT為例,首先分析波狀基區(qū)結構特點,提出可行的工藝實現(xiàn)方法,然后利用器件仿真軟件ISE-TCAD對器件的單步工藝和整體工藝進行模擬,分析了工

2、藝方法的可行性,提取了最優(yōu)的工藝條件,并給出工藝實施方案,最后通過實驗驗證了幾個關鍵工藝。主要研究內容如下:
　　第一,簡述了波狀基區(qū)A-GCT結構與工作原理,分析波狀基區(qū)A-GCT器件各個區(qū)域的結構特點。結合實際工藝,提出多種實現(xiàn)各區(qū)域的工藝方法,而后通過工藝模擬,驗證了其可行性,提取了工藝條件,從而確定了單步工藝的實施方法。
　　第二,根據(jù)波狀基區(qū)A-GCT的單步工藝模擬結果,同時整合單步工藝的工藝條件,分析前后道工藝之