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文檔簡介
1、隨著人們對于導(dǎo)電聚合物及其復(fù)合材料的深入研究,導(dǎo)電聚合物復(fù)合納米材料在電化學(xué)及敏感材料領(lǐng)域的優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)出來。本論文選擇以導(dǎo)電聚合物PEDOT作為基體,采用化學(xué)氣相聚合法制備PEDOT及其與石墨烯、氧化石墨烯和納米銀的復(fù)合納米材料,并研究了這些材料的導(dǎo)電性、電化學(xué)性能及氣敏性能,為進一步的制備高性能PEDOT薄膜及其復(fù)合納米薄膜材料提供重要參考。本論文的主要研究內(nèi)容如下:
1、采用化學(xué)氣相聚合法制備了PEDOT導(dǎo)電薄膜,并對成
2、膜工藝進行優(yōu)化,研究了PEDOT導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電特性。結(jié)果表明其電導(dǎo)率先隨化學(xué)氣相聚合時間的增加而增大,然后達到一穩(wěn)定值,進一步的研究表明薄膜的電導(dǎo)率最大可達17.3 S/cm。
2、采用化學(xué)氣相聚合法制備PEDOT與氧化石墨烯(GO)復(fù)合納米材料,然后以葡萄糖為還原劑對氧化石墨烯進行還原處理,獲得PEDOT/還原氧化石墨烯(RGO)復(fù)合納米薄膜。研究了復(fù)合薄膜的導(dǎo)電性能和電化學(xué)性能。結(jié)果表明在相同制備條件下, PEDOT/GO
3、、PEDOT和PEDOT/RGO的電導(dǎo)率依次增大。PEDOT/RGO復(fù)合薄膜的比容量可達114.4 F/g,遠高于純PEDOT材料的比容量。
3、采用化學(xué)氣相聚合法制備PEDOT與納米銀復(fù)合材料。對復(fù)合薄膜的導(dǎo)電性和電化學(xué)性能進行了研究。研究結(jié)果表明,PEDOT/納米銀復(fù)合薄膜的電導(dǎo)率為54.8 S/cm,高于純PEDOT薄膜的電導(dǎo)率(17.3 S/cm)。拉曼光譜測試發(fā)現(xiàn)PEDOT/納米銀復(fù)合薄膜的拉曼峰值明顯增強,呈現(xiàn)表面
4、增強拉曼散射現(xiàn)象。電化學(xué)特性研究表明,納米銀的加入使得PEDOT/納米銀復(fù)合納米材料具有良好的電化學(xué)特性,薄膜的比電容為100.3 F/g。充放電循環(huán)測試1000次后,比容量保持率為80.5%,具有良好的電化學(xué)穩(wěn)定性。
4、采用LB膜法制備了氧化石墨烯超薄膜,并使用水熱法還原氧化石墨烯。采用化學(xué)氣相聚合制備PEDOT/還原氧化石墨烯復(fù)合納米材料;研究了還原氧化石墨烯LB膜和復(fù)合薄膜對于低濃度NO2氣體的敏感性能。結(jié)果表明復(fù)合薄
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